[发明专利]一种TFT背板、其制备方法及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示领域，具体涉及一种TFT背板、其制备方法及 显示装置。

背景技术

目前在低温多晶硅技术LTPS(LowTemperaturePoly-silicon)流 程中接触孔的刻蚀工艺存在如下技术问题：

需要刻蚀的膜层很厚(层间介质层ILD：绝缘层)，接触孔深且越往下孔径越小，反应过程中容易出现反应物不能及时排出而发生刻蚀停止现象；若通过延长刻蚀时间或增大偏置电源(BiasPower)来避免刻蚀停止，则会导致线宽损失(CDLoss)比较大，影响器件电学性能；

为解决上述技术问题，现有技术中对接触孔采用湿刻和干刻工艺相 结合的方式，即先在干刻区进行干法刻蚀，刻蚀掉层间介质层和部分第 一绝缘层，然后再将刻蚀器件运送到湿刻区进行湿法刻蚀，刻蚀掉剩余 的第一绝缘层。由于湿法刻蚀能有效避免多晶硅层过刻，但需要增加待 刻蚀器件在干刻区和湿刻区之间的运送工艺，工艺较繁琐。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是现有TFT背板制备过程中接触孔刻蚀 工艺难度较大导致其电学性能下降的问题，从而提供一种TFT背板的制 备工艺，此工艺通过减少刻孔工艺总膜层厚度，降低刻孔工艺难度，进 而提高TFT电气特性稳定性。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

一种TFT背板的制备工艺，包括如下步骤：

S1：在基板上依次形成缓冲层、半导体层、栅极绝缘层、第一金属 层，所述第一金属层经刻蚀形成栅极层；

S2、在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属 层，刻蚀所述第二金属层形成电容层，再以电容层做掩膜版刻蚀电容绝 缘材料层以暴露半导体层两端的部分区域，形成电容绝缘层；

S3、在步骤S2的基础上沉积层间绝缘层，刻蚀层间绝缘层和栅极绝 缘层形成贯穿层间绝缘层和栅极绝缘层的接触孔；

S4、在步骤S3的基础上沉积金属材料，刻蚀后形成源漏极。

所述的步骤S2为：

在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属Mo 层，刻蚀所述第二金属Mo层形成电容层，在同一干刻机腔室内通过工 艺参数的条件后，再以电容层做掩膜版刻蚀CI材料层以暴露半导体层两 端的部分区域，形成电容绝缘层。

采用碳氟化合物刻蚀气体对层间绝缘层和栅极绝缘层进行刻蚀。

所述接触孔的孔径为2～5μm，所述接触孔的深度为400～1000nm。

所述层间绝缘层为氧化硅层SiOx，所述层间绝缘层为氮化硅层SiNx。

所述的栅极绝缘层为氧化硅层SiOx，所述的电容绝缘层为氮化硅层 SiNx，所述半导体层为多晶硅层。

所述的缓冲层包括在基板上形成的第一缓冲层和第二缓冲层，所述 的第一缓冲层为氮化硅层SiNx，所述的第二缓冲层为氧化硅层SiOx。

一种运用所述的制备工艺制备的TFT背板。

一种显示装置，所述显示装置包含有所述的TFT背板。

本发明相对于现有技术具有如下有益效果：

本发明所述的TFT背板的制备工艺是在栅极层上沉积电容绝缘材料 层CI，再溅镀形成第二金属层，先将所述第二金属层刻蚀形成电容层后， 在同一干刻机腔室内，进行工艺参数及条件变更，继续以电容层的图形 作为掩膜版，进行下层电容绝缘材料层CI刻蚀，以暴露半导体层两端如 的部分区域，形成电容绝缘层CI。在层间绝缘层ILD沉积完成后，进行 接触孔刻蚀工艺，由于电容绝缘层CI在前层已经刻蚀完成，此处接触孔 刻蚀工艺只需要需要将层间绝缘层ILD及栅极绝缘层GI层刻蚀完成即 可，刻蚀膜层总厚度降低，降低工艺难度，增加电气特性稳定性。

附图说明

为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体 实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中

图1是本发明TFT背板的结构示意图；

其中附图标记为：

01-第一缓冲层、02-第二缓冲层，03-半导体层，04-栅极绝缘层、05- 栅极层、06-电容绝缘层、07-电容层，08层间绝缘层，10-第一接触孔， 11-第二接触孔，12-第三接触孔。

具体实施方式