[发明专利]一种TFT背板、其制备方法及显示装置

权利要求书

1.一种TFT背板的制备工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1：在基板上依次形成缓冲层、半导体层(03)、栅极绝缘层(04)、 第一金属层，所述第一金属层经刻蚀形成栅极层(05)；

S2、在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属 层，刻蚀所述第二金属层形成电容层(07)，再以电容层(07)做掩膜 版刻蚀电容绝缘材料层以暴露半导体层(03)两端的部分区域，形成电 容绝缘层(06)；

S3、在步骤S2的基础上沉积层间绝缘层，刻蚀层间绝缘层(08)和 栅极绝缘层(04)形成贯穿层间绝缘层(08)和栅极绝缘层(04)的接 触孔；

S4、在步骤S3的基础上沉积金属材料，刻蚀后形成源漏极。

2.根据权利要求1所述的TFT背板的制备工艺，其特征在于，所述 的步骤S2为：

在步骤S1的基础上沉积电容绝缘材料层，再溅镀形成第二金属Mo 层，刻蚀所述第二金属Mo层形成电容层(07)，在同一干刻机腔室内 通过工艺参数的条件后，再以电容层(07)做掩膜版刻蚀CI材料层以暴 露半导体层(03)两端的部分区域，形成电容绝缘层(06)。

3.根据权利要求2所述的TFT背板的制备工艺，其特征在于，采用 碳氟化合物刻蚀气体对层间绝缘层(08)和栅极绝缘层(04)进行刻蚀。

4.根据权利要求3所述的TFT背板的制备工艺，其特征在于，所述 接触孔的孔径为2～5μm，所述接触孔的深度为400～1000nm。

5.根据权利要求4所述的TFT背板的制备工艺，其特征在于，所述 层间绝缘层(08)为氧化硅层SiOx，所述层间绝缘层(08)为氮化硅层 SiNx。

6.根据权利要求1-5任一项所述的TFT背板的制备工艺，其特征在 于，所述的栅极绝缘层(04)为氧化硅层SiOx，所述的电容绝缘层(06) 为氮化硅层SiNx，所述半导体层(03)为多晶硅层。

7.根据权利要求1-5任一项所述的TFT背板的制备工艺，其特征在 于，所述的缓冲层包括在基板上形成的第一缓冲层(01)和第二缓冲层 (02)，所述的第一缓冲层(01)为氮化硅层SiNx，所述的第二缓冲层 (02)为氧化硅层SiOx。

8.一种由权利要求1-7任一项所述的制备工艺制备的TFT背板。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包含有权利要求8所 述的TFT背板。