[发明专利]防止通孔着落短接的倒置选择性电介质交联

权利要求书

1.一种互连结构，包括：

第一层间电介质(ILD)；

延伸到所述第一层间电介质中的第一互连线；

延伸到所述第一层间电介质中的第二互连线；

定位在所述第一互连线和所述第二互连线之上的第二层间电介质；

经过所述第二层间电介质延伸并且电耦合到所述第一互连线的通孔，其中所述通孔的底部表面的一部分定位在所述第二互连线之上；以及

定位在所述通孔的所述底部表面与所述第二互连线的顶部表面之间的隔离层，其中所述隔离层和所述通孔在通孔开口中形成。

2.如权利要求1所述的互连结构，其中，盖在所述第一互连线之上形成，并且其中所述盖是与所述第二互连线不同的材料。

3.如权利要求2所述的互连结构，其中，所述盖是金属、合金、金属间化合物、锗化物或硅化物。

4.如权利要求3所述的互连结构，其中，所述盖是Cu、W、Ru、Co、Mo、Ni、Pt、Pd、Ta、Ti、RuTa、TaN、TiN、WCN、Cu₃Ge或Ni_xSi_y。

5.如权利要求1所述的互连结构，其中，所述隔离层的底部表面接触硬掩模的顶部表面。

6.如权利要求5所述的互连结构，其中，所述隔离层具有所述第一互连线与所述第二互连线之间的节距的一半的厚度。

7.如权利要求1所述的互连结构，其中，所述第一互连线是与所述第二互连线不同的材料。

8.如权利要求1所述的互连结构，其中，所述隔离层没有跨所述第二互连线的所述顶部表面的整个宽度延伸。

9.如权利要求1所述的互连结构，其中，所述隔离层是交联电介质层。

10.如权利要求9所述的互连结构，其中，所述隔离层基于1,3,5-三硅代环己烷。

11.如权利要求1所述的互连结构，其中，接枝基在所述隔离层的底部表面与所述第二互连线的顶部表面之间形成。

12.一种形成通孔的方法，包括：

形成经过在第一互连层的顶部表面之上形成的第二层间电介质(ILD)的通孔开口，所述第一互连层包括：

具有定位在第一层间电介质的顶部表面之上的硬掩模的所述第一层间电介质；

经过所述硬掩模延伸并且延伸到所述第一层间电介质中的第一互连线；

经过所述硬掩模延伸并且延伸到所述第一层间电介质中的第二互连线，其中所述第二互连线的顶部表面是与所述第一互连线的顶部表面不同的材料，其中所述通孔开口暴露所述第一互连线的所述顶部表面和所述第二互连线的所述顶部表面的至少一部分；

将催化剂试剂有选择地接枝到所述第二互连线的暴露部分上；

采用电介质填充所述通孔开口；

通过采用烘焙操作来交联所述电介质的部分而在所述第二互连线的暴露部分之上形成隔离层，所述烘焙操作提供足够能量，以便仅在所述催化剂试剂存在的情况下发起交联操作；

从所述通孔开口去除没有交联的所述电介质的所述部分；以及

采用传导材料填充所述通孔开口，以形成通孔。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述催化剂试剂通过氢接合或者静电接合来接合到所述第二互连线的暴露部分。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述催化剂试剂是Lewis酸或Bronsted酸。

15.如权利要求12所述的方法，其中，所述催化剂试剂共价接合到接枝基，并且其中所述接枝基有选择地接合到所述第二互连线的暴露部分。