[发明专利]生成功率半导体模块的方法在审
| 申请号： | 201580074200.4 | 申请日： | 2015-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN107210232A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | V.斯夫瓦苏布拉尼亚姆;D.圭尔龙;P.莫林;R-A.圭尔勒明;S.哈特曼恩 | 申请（专利权）人： | ABB瑞士股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/373;H01L23/498 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 郑浩,刘春元 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 生成 功率 半导体 模块 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种生成功率半导体模块的方法，所述方法包括下列步骤：
a)提供载体层(12)；
b)提供具有端子连接区(22)的衬底(14)；
c)通过形成焊料层(20)将所述衬底(14)焊接到所述载体层(12)；其中
d)所述焊料层(20)被形成，使得预定义空腔(28)提供在所述焊料层(20)中与所述衬底(14)相邻，并且定位成与所述端子连接区(22)相对；以及
e)将端子(24)熔接到所述衬底(14)的所述端子连接区(22)。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述空腔(28)沿所述焊料层(20)的整个厚度延伸。
3. 如权利要求1或2所述的方法，其中，所述空腔(28)在与所述焊料层(20)的平面平行的平面(30)中具有扩张，其与所述端子连接区(22)的平行扩张相比位于≥ 50%至≤ 200%的范围中。
4.如前述权利要求中的任何所述的方法，其中，所述空腔(28)通过使用在所述载体层(12)和所述衬底(14)的至少一个上所形成的涂层来定义。
5.如前述权利要求中的任何所述的方法，其中，所述衬底(14)包括氮化铝。
6.如前述权利要求中的任何所述的方法，其中，所述端子(24)通过超声熔接来熔接到所述衬底(14)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
