[发明专利]半导体基板用蚀刻液

权利要求书

1.蚀刻液，其是用于处理太阳能电池用半导体基板表面的碱性蚀刻液，

含有碱性剂以及下述通式(1)所表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物，

[化1]

式中，m以及n分别为m≥0、n≥3，通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量为满足1000~5万的范围的任意的数；k、p、u分别为0≤k≤2、0≤p≤2以及0＜u≤2，其中，k、p、u表示聚合物中的平均值；R¹~R³为H或碳原子数1~5的烷基；X为聚合性乙烯基类单体的构成单元；Y、Z相同或不同，且为选自

[化2]

或者碳原子数1~18的烷基或碳原子数6~18的芳基的取代基，式中，M为H、碱金属、碱土金属或有机阳离子；Y¹、Y⁴为卤素；Y^2-、Y^3-为反离子；W为S或O；R⁴~R⁸相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H，而且R⁶和R⁷任选经由N基形成环；R⁹~R¹⁵相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H；q、s、t分别为0或1；r为0、1或2。

2.权利要求1中记载的蚀刻液，其进一步含有选自木素磺酸以及木素磺酸盐的至少一种成分。

3.权利要求1或2中记载的蚀刻液，其进一步含有选自螯合剂、硅酸以及硅酸盐的至少一种成分。

4.权利要求1~3中任一项记载的蚀刻液，其中，使用该蚀刻液蚀刻后的太阳能电池用半导体基板的表面形状具有金字塔状凹凸。

5. 蚀刻液的蚀刻力回复剂，其为以权利要求1~4中任一项记载的蚀刻液处理太阳能电池用半导体基板后添加至上述蚀刻液中，回复该蚀刻液的蚀刻力的蚀刻力回复剂，含有碱性剂，且含有下述通式(1)所表示的至少一种羟基苯乙烯类聚合物：

[化3]

式中，m以及n分别为m≥0、n≥3，通式(1)所表示的聚合物的重量平均分子量为满足1000~5万的范围的任意的数；k、p、u分别为0≤k≤2、0≤p≤2以及0＜u≤2，其中，k、p、u表示聚合物中的平均值；R¹~R³为H或碳原子数1~5的烷基；X为聚合性乙烯基类单体的构成单元；Y、Z相同或不同，且为选自

[化4]

或者碳原子数1~18的烷基或碳原子数6~18的芳基的取代基，式中，M为H、碱金属、碱土金属或有机阳离子；Y¹、Y⁴为卤素；Y^2-、Y^3-为反离子；W为S或O；R⁴~R⁸相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H，而且R⁶和R⁷任选经由N基形成环；R⁹~R¹⁵相同或不同，且为直链或支链烷基、烷基衍生物基、芳香基或H；q、s、t分别为0或1；r为0、1或2。

6.太阳能电池用半导体基板的制造方法，其含有以权利要求1~4中任一项记载的蚀刻液蚀刻太阳能电池用半导体基板的基板表面，在上述基板表面形成凹凸的蚀刻工序。

7.权利要求6中记载的制造方法，其中，在上述基板表面形成的凹凸的凸部为金字塔形状。

8.权利要求7中记载的制造方法，其中，上述金字塔形状的平均尺寸为0.5~30μm。

9.权利要求6~8中任一项记载的制造方法，其中，蚀刻后的太阳能电池用半导体基板的波长600nm下的光反射率为10%以下。

10.太阳能电池用半导体基板，其是以权利要求1~4中任一项记载的蚀刻液对其表面进行蚀刻处理而形成。

11.权利要求10中记载的太阳能电池用半导体基板，其中，在基板表面形成有凹凸。