[发明专利]导电性组合物、抗静电膜、层叠体及其制造方法以及光掩膜的制造方法

权利要求书

1.一种导电性组合物，其特征在于，其含有：具有磺酸基和/或羧基的导电性聚合物(a)、具有至少一个含氮杂环并具有氨基的碱性化合物(b)、具有羟基的水溶性聚合物(c)、亲水性有机溶剂(d)、水(e)，其中，所述具有羟基的水溶性聚合物(c)不包括所述导电性聚合物(a)。

2.根据权利要求1所述的导电性组合物，其中，所述碱性化合物(b)具有共轭结构。

3.根据权利要求1所述的导电性组合物，其中，所述含氮杂环为吡啶环。

4.根据权利要求1～3中任意一项所述的导电性组合物，其中，所述水溶性聚合物(c)为聚乙烯醇。

5.根据权利要求4所述的导电性组合物，其中，所述聚乙烯醇的皂化度为85％以上。

6.根据权利要求1～3中任意一项所述的导电性组合物，其中，所述亲水性有机溶剂(d)为碳原子数1～3的一元醇。

7.根据权利要求1～3中任意一项所述的导电性组合物，其中，相对于所述导电性组合物的总质量，所述亲水性有机溶剂(d)的含量为1～15质量％。

8.根据权利要求1～3中任意一项所述的导电性组合物，其中，所述导电性聚合物(a)具有下述通式(1)所表示的单元，

式(1)中，R¹～R⁴各自独立地为氢原子、碳原子数1～24的直链或者含支链的烷基、碳原子数1～24的直链或者含支链的烷氧基、酸性基团、羟基、硝基或卤素原子，R¹～R⁴中的至少一个为酸性基团，所述酸性基团为磺酸基或羧基。

9.一种抗静电膜，其为由权利要求1～8中任意一项所述的导电性组合物形成的抗静电膜，其特征在于，所述抗静电膜在350～900nm的紫外-可见吸收光谱中，在450～500nm的波长区域具有吸收的最大值。

10.一种层叠体，其为具备基材和在所述基材的至少一个面上由权利要求1～8中任意一项所述的导电性组合物形成的抗静电膜的层叠体，其特征在于，所述抗静电膜在350～900nm的紫外-可见吸收光谱中，在450～500nm的波长区域具有吸收的最大值。

11.根据权利要求10所述的层叠体，其进一步在所述抗静电膜上具备抗蚀剂层。

12.根据权利要求11所述的层叠体，其进一步在所述抗蚀剂层上具备导电性层。

13.根据权利要求10～12中任意一项所述的层叠体，其中，所述抗静电膜侧最表层的表面粗糙度Ra为1.5nm以下。

14.一种层叠体的制造方法，其特征在于，其包括在基材的至少一个面上涂布或含浸权利要求1～8中任意一项所述的导电性组合物之后，在80℃以上进行加热处理，形成抗静电膜的工序。

15.根据权利要求14所述的制造方法，其进一步包括在所述抗静电膜上形成抗蚀剂层的工序。

16.根据权利要求15所述的制造方法，其进一步包括在所述抗蚀剂层上形成导电性层的工序。