[发明专利]微发光二极管的转移方法、制造方法、装置和电子设备有效
| 申请号： | 201580001216.2 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN105493298B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 衬底 电子设备 发光二极管 衬底剥离 激光照射 预先设置 透明的 接垫 制造 激光 | ||
1.一种用于微发光二极管转移的方法，包括：
在激光透明的原始衬底上形成微发光二极管，其中，该微发光二极管是横向微发光二极管，其中该横向微发光二极管的P电极和N电极位于同一侧；
使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触；以及
从原始衬底侧用激光照射原始衬底，以从原始衬底剥离横向微发光二极管，
其中，通过向所述接垫施加电压来施加静电力，利用所述静电力的作用，使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触。
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在接收衬底上设置各向异性导电层；
其中，经由各向异性导电层使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触；
其中，所述方法还包括：对各向异性导电层进行处理，使得横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上的接垫电连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，各向异性导电层是各向异性导电膜、各向异性导电浆和各向异性导电胶带中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，利用重力作用，使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，横向微发光二极管中包含磁性物质，以及利用电磁力的作用，使横向微发光二极管的P电极和N电极与接收衬底上预先设置的接垫接触。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，横向微发光二极管的P电极和N电极包括焊料凸起，以及所述方法还包括：使所述焊料凸起与所述接垫接合。
7.一种用于制造微发光二极管装置的方法，包括使用根据权利要求1所述的方法将横向微发光二极管转移到接收衬底上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于歌尔股份有限公司，未经歌尔股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580001216.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非水电解质二次电池
- 下一篇：半导体装置及其制造方法
