[实用新型]集成电路器件有效

专利信息
申请号: 201520715139.4 申请日: 2015-09-15
公开(公告)号: CN205004326U 公开(公告)日: 2016-01-27
发明(设计)人: E·M·卡达格;R·卡卢斯特 申请(专利权)人: 意法半导体公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/49
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华;吕世磊
地址: 菲律宾*** 国省代码: 菲律宾;PH
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摘要:
搜索关键词: 集成电路 器件
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及集成电路器件的领域,并且更特别地涉及具有暴露在底表面上的接触焊垫的集成电路封装。

背景技术

集成电路封装,诸如四方扁平封装(QFP)、小外形集成电路(SOC)封装和塑料单个小外形(PSSO)封装,包括裸片焊垫以及支撑在裸片焊垫的表面上的集成电路(或裸片)。封装材料包围集成电路。多个引脚,通常称作引线,诸如“鸥翼式”引线,通常从形成了封装的封装材料的侧面延伸。引线由键合接线连接至经封装的集成电路。通常这些类型的集成电路器件被形成为表面安装器件。封装形式可以是扁平矩形体并且通常是具有沿着所有四个侧边延伸的引线的正方体。存在许多设计变化,通常在引线数目、它们的间距、封装尺寸和用于构造封装的材料上不同。通常选择材料以改进或改变封装的热特性。

四方扁平无引线(QFN)封装在设计上类似,但是具有改进的共面性和散热,并且不具有用作天线的鸥翼式引线。结果,QFN封装与QFP和类似封装相比在高频应用中产生了远远较少的“噪声”。QFN封装包括由封装材料包围的集成电路裸片,以及耦合至IC裸片并且耦合至接触焊垫的引线,接触焊垫暴露在封装材料与所述底表面的外围相邻的底表面上。QFN封装已知它们具有小尺寸、成本效率和良好的产率。由于暴露的引线框架焊垫(或顶部裸片焊盘支座),这些QFN封装提供了良好的热性能,并且由于与暴露的引线框架焊垫直接的热路径而从封装去除了热量。

暴露在QFN和类似封装中封装材料底表面上的接触焊垫通常是单行焊垫,并且裸片停放在与引线框架焊垫协作的顶部裸片焊盘支座的顶部上。在其中裸片相对于顶部裸片焊盘支座较小的那些情形中,可能发生脱离,因为当由温度改变或机械应力而诱导时,封装材料可以与一个或多个引线分离。当IC裸片初始地粘附至顶部裸片焊盘支座时,环氧树脂泄漏也可能发生。此外,较大的封装可以在电路板上占据过大的空间。如果QFN封装尺寸可以减小并且调节不同IC裸片尺寸而并未损害裸片-至-裸片焊垫比率(padratio),而同时也减小了脱离和环氧树脂泄漏,这将是有利的。

实用新型内容

本公开的实施例的目的是提供一种集成电路器件,以至少部分地解决现有技术中的上述问题。

根据本公开的一个方面,提供了一种集成电路器件,包括:

集成电路裸片;

封装材料,包围所述集成电路裸片;

第一组引线,被耦合至所述集成电路裸片,并且具有暴露在所述封装材料的底表面上的与所述底表面的外围相邻的第一接触焊垫;以及

第二组引线,被耦合至所述集成电路裸片,并且具有暴露在所述封装材料的底表面上的与所述底表面的外围相邻的第二接触焊垫;

所述第二组引线也具有从所述第二接触焊垫中的相应第二接触焊垫横向向内延伸的内端部,以限定在其上支撑所述集成电路裸片的裸片焊垫区域。

优选地,所述第一接触焊垫和所述第二接触焊垫设置为交替图形。

优选地,所述第一接触焊垫和所述第二接触焊垫设置为偏移图形,使得所述第一接触焊垫设置为比所述第二接触焊垫更靠近所述封装材料的底表面的外围。

优选地,所述第一组引线具有相同形状和尺寸。

优选地,所述第二组引线中的每个引线包括从相应第二接触焊垫横向向外延伸的封装远端部。

优选地,所述封装材料的下表面具有限定矩形形状的四个侧边。

优选地,所述第二组引线包括从所述封装材料的下表面的四个侧边中的每个侧边平行并且向内延伸的相应引线群组。

优选地,所述第二组引线具有限定在矩形形状的角部之间延伸的X形开口的不同长度。

优选地,所述集成电路器件进一步包括:

第一组键合接线,耦合所述集成电路裸片和所述第一组引线;以及

第二组键合接线,耦合所述集成电路裸片和所述第二组引线。

根据本公开的另一方面,提供了一种集成电路器件,包括:

集成电路裸片;

封装材料,包围所述集成电路裸片;

第一组引线,被耦合至所述集成电路裸片,并且具有暴露在所述封装材料的底表面上的与所述底表面的外围相邻的第一接触焊垫,所述第一组引线具有相同的形状和尺寸;以及

第二组引线,被耦合至所述集成电路裸片,并且具有暴露在所述封装材料的底表面上的与所述底表面的外围相邻的第二接触焊垫;

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