[实用新型]一种IGBT单管有效
申请号: | 201520648483.6 | 申请日: | 2015-08-25 |
公开(公告)号: | CN205248258U | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 李向坤;刘传利;刘星义 | 申请(专利权)人: | 科达半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/373 | 分类号: | H01L23/373;H01L23/15 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 257091 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 igbt | ||
技术领域
本实用新型涉及工业控制设备制造技术领域,更具体地说,涉及一种IGBT 单管。
背景技术
IGBT单管(InsulatedGateBipolarTransistor,绝缘栅双极型功率管)是由 BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式 电力半导体器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点,驱动功率小 而饱和压降低,在工业控制领域中,尤其是变频器领域内,被广泛用作开关 器件。
现有技术中的IGBT单管产品的背面裸露铜片,终端客户在使用该产品前, 就必须在产品背面与散热器之间人工粘贴绝缘材料。
但是,上述IGBT单管产品具有如下缺点:由于人工粘贴的一致性较差, 且粘贴过程容易引入颗粒杂质,因此极易造成IGBT单管背面因高压击穿而失 效。
实用新型内容
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种IGBT单管,在IGBT单管本 体的散热片上固定有导热绝缘垫片,导热绝缘性能好,且降低人工粘贴带来 的高压击穿的风险。
本实用新型提供的一种IGBT单管,包括IGBT单管本体,所述IGBT单 管本体上设置有散热片,所述散热片上固定有导热绝缘垫片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述导热绝缘垫片为陶瓷垫片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述陶瓷垫片和所述散热片之间通过陶瓷 胶固定。
优选的,在上述IGBT单管中,所述散热片为铜片。
优选的,在上述IGBT单管中,所述IGBT本体还包括IGBT芯片,所述 IGBT芯片与所述铜片通过锡膏固定。
优选的,在上述IGBT单管中,所述IGBT本体还包括设置于所述IGBT 芯片的外周部的塑封胶。
从上述技术方案可以看出,本实用新型所提供的IGBT单管,由于在IGBT 单管本体的散热片上固定有导热绝缘垫片,导热绝缘性能好,且用户可以直 接使用,无需人工粘贴导热绝缘垫片,降低了IGBT单管的高压击穿的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将 对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地, 下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例,对于本领域普通技术人员来 讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种IGBT单管的示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术 方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部 分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通 技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本 实用新型保护的范围。
本申请实施例提供的一种IGBT单管如图1所示,图1为本申请实施例提供 的一种IGBT单管的示意图。该IGBT单管本体包括IGBT单管本体,所述IGBT 单管本体上设置有散热片1,所述散热片1上固定有导热绝缘垫片2。
需要说明的是,上述IGBT本体以及设置于其上的散热片1与现有技术中的 IGBT单管一致,在现有技术中,当终端客户需要用到这种IGBT单管时,必须 利用人工方法在散热片1上贴导热绝缘垫片,从而使单管与外部的散热铝片绝 缘式的接触,但人工粘贴的方式一致性较差,且易引入颗粒杂质,极易造成 IGBT单管背面高压击穿。而为了解决上述问题,本申请实施例提供了上述 IGBT单管,在生产时,直接采用机器粘贴的方式,将导热绝缘垫片2固定在散 热片1上,这种机器粘贴的方式一致性好,效率高;将这种一体化的产品交给 客户后,客户直接就能使用,避免了人工粘贴的繁琐和不一致,且降低了引 入颗粒杂质带来的击穿风险。
为了提高垫片的性能,可以将所述导热绝缘垫片设置为陶瓷垫片,这种 陶瓷垫片既能导热,有效的将IGBT单管本体产生的热量及时导出到外部,避 免IGBT单管过热,又起到绝缘的作用,使IGBT单管本体和外部的散热铝片之 间的绝缘性能更好。
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