[实用新型]晶圆结构有效
| 申请号： | 201520633432.6 | 申请日： | 2015-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN204857717U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;朱佳辉 | 申请（专利权）人： | 北京卓锐微技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;熊亮 |
| 地址： | 100191 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 结构 | ||
1.一种晶圆结构，用于形成多个管芯，其特征在于，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；
位于所述半导体衬底的第一表面上的多个第一功能层和多个第二功能层，所述多个第一功能层由划片道隔开，所述多个第二功能层位于所述划片道中；以及
位于所述多个第二功能层下方的多个划片标记，
其中，所述多个管芯分别包括半导体衬底的一部分和所述多个第一功能层中的相应一个功能层，所述多个第二功能层用于提供所述多个管芯中的相邻管芯之间的机械和/或电连接。
2.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个划片标记是在所述第一表面开口的多个凹槽，所述多个第二功能层分别覆盖所述开口的至少一部分。
3.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个划片标记是在所述第二表面开口的多个凹槽。
4.根据权利要求2或3所述的晶圆结构，其特征在于，所述划片道用于激光切割，并且所述多个凹槽的延伸方向与激光扫描移动的方向一致。
5.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个凹槽的长度大于等于所述多个第二功能层的相应功能层沿着激光扫描移动的方向的尺寸。
6.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个凹槽的宽度小于5微米。
7.根据权利要求4所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个凹槽的深度达到所述激光扫描在所述半导体衬底中的聚焦深度。
8.根据权利要求1所述的晶圆结构，其特征在于，所述多个管芯分别为MEMS麦克风，所述多个第二功能层用于提供相邻的MEMS麦克风的公共锚区和电连接中的至少之一。
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