[实用新型]低热阻的压接式功率器件封装

说明书

技术领域

本实用新型涉及电力半导体器件技术领域，具体涉及一种低热阻的压接式功率器件封装。

背景技术

压接式功率器件，如压接式IGBT(绝缘栅双极型晶体管)，被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域，其具有较高的可靠性，便于串联，并且在器件损坏时表现出短路失效模式，因此其也被广泛应用在智能电网等领域。

温度对功率器件性能的影响至关重要，高温不仅会影响器件的电学特性，更会严重影响其疲劳寿命。在功率器件运行过程中温度会影响芯片内部的热应力，这可能会导致芯片的损坏，已有多项研究证明电子器件的疲劳寿命随温度的升高呈指数下降，在功率器件设计过程中就必须同时考虑热设计，以方便热量迅速散出去，降低芯片的温度。

当前压接式IGBT的主要产品为ABB公司和WESTCODE公司的产品，具体为：

ABB公司的压接式IGBR的结构中芯片下侧面与基板烧结在一起，另一侧为压接结构，并最终通过叠簧结构与上端盖接触，但也正因为叠簧的存在，使得芯片上侧面的导热能力很差，热量基本上只能通过下侧面导出，不利于散热。

WESTCODE公司的压接式IGBT的结构中芯片上下侧两面均为压接结构，直至上下端盖，这种结构的优点是芯片可以实现双面散热，芯片上下两面有近乎相等的热量导出。但是从其截面图可以看出，零部件之间的接触面较多，因为不同介面之间接触是不完好的，缝隙中混入了空气，空气的导热率更低，这样会造成很大的接触热阻，并且其接触热阻在整体热阻中占20％-50％比重，所以该种结构整体热阻与ABB的热阻相差不大。

综上所述，降低接触热阻对降低整体热阻有至关重要的作用。针对接触热阻的存在会导致整体热阻的增大，若采样将各零件之间的缝隙用焊锡焊死以克服接触热阻对整体热阻的影响，但是焊锡的熔点在200-300℃，一方面具体结构限制了锡焊工艺的使用，再则锡焊工艺的使用必然导致整体生产成本的大幅提升，焊接温度达到200-300℃时功率器件的一些零部件选材就受到了限制，最后锡焊工艺还有一个缺点：经过一定数量的功率循环之后锡焊层会因为疲劳而失效，此时的接触热阻将会大大增加，甚至可能导致器件的失效，所以锡焊工艺有其相应的劣势和局限性。

另外，现有功率器件封装结构中芯片产生的热量主要通过与其相邻的零部件纵向传导到外界，而横向传导热量的能力很弱。功率器件中可能有多个芯片，不同的芯片因为功率不同和散热条件不同，在工作状态下最高温度也是不同的，即使只有一个大芯片，其上各点温度也不同，横向传导热量的能力很弱导致有些位置的温度很高，而有些位置的温度较低，两者可能相差二三十度，这实质上没有充分利用散热通道。

因此，需要提供一种具有低热阻，并且整体结构简单紧凑的压接式功率器件封装，从而满足智能电网对功率器件封装结构的应用需求。

发明内容

为了满足现有技术的需要，本实用新型提供了一种低热阻的压接式功率器件封装。

本实用新型的技术方案是：

所述功率器件封装包括依次叠层布置的上端盖、液态金属导热片、PCB板、框架和下管壳；所述框架上设置有第一定位孔和第二定位孔；所述第一定位孔用于固定上钼片；所述第二定位孔用于固定弹簧探针；

所述液态金属导热片敷设在上钼片的上表面；

所述功率器件封装还包括设置在上钼片和下管壳之间的功率器件的芯片。

优选的，所述弹簧探针与所述框架相互垂直，弹簧探针的一端与所述PCB板的导电层连接，另一端与所述芯片的栅极连接；

优选的，所述功率器件封装还包括与下管壳焊接连接的下钼片；所述功率器件的芯片与上钼片烧结，或者芯片与下钼片烧结，或者芯片的两侧分别与上钼片和下钼片烧结；

优选的，所述上端盖包括上电极和上裙边；所述下管壳包括下电极、下裙边、栅极引出端子和阴极引出端子；

所述上裙边和下裙边采用冷压焊相连，实现功率器件的封装；

所述栅极引出端子与所述弹簧探针的一端焊接，从而与所述芯片的栅极连接；

所述阴极引出端子与所述芯片的阴极连接；

优选的，所述上电极包括均热板，以及由所述均热板构成的空腔；

所述空腔中填充有导热流体介质，用于传导热量；

所述均热板由无氧铜制成；

优选的，所述上电极包括金属板、接口，以及由所述金属板构成的空腔；

所述空腔，用于在接口与外部冷却装置连接后流通冷却液体，冷却液体将热量带走，从而实现对热源的冷却；

所述接口，用于连接所述功率器件封装的外部冷却装置；