[实用新型]电化学电镀设备以及晶片边缘检测系统

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种电化学电镀设备，尤其是涉及一种用于晶片边缘检测系统的电化学电镀设备。

背景技术

在半导体制作工艺中，电化学电镀(ElectroChemicalPlating，简称ECP)制作工艺属于金属化制作工艺的其中一阶段，主要是使用电流以提供电子将金属离子转换成金属原子，并于某一界面的金属薄膜沉积的制作工艺，通常是以物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,简称PVD)将铜种层增长为铜金属层。

电化学电镀制作工艺主要包括电镀(PlatingCell)、晶片斜边清洗(EdgeBevelRemove,EBR)及回火(Anneal)等制作工艺所组成，其中晶片斜边清除(EBR)主要是将晶片边缘残余的铜通过例如是过氧化氢(H₂O₂)与硫酸(H₂SO₄)的化学调剂进行清洗，以避免晶片边缘残余的铜在尔后的化学机械研磨过程中剥离而伤害金属表面，影响后续制作工艺，故必须通过晶片斜边清洗(EBR)制作工艺进行残余铜去除的动作。

然而，在进行晶片斜边清洗(EBR)制作工艺时会因为化学调剂调制不够精确、机台输送化学调剂的输送管损坏、晶片水平偏移以及化学调剂流量过多或过少等因素，产生晶片斜边清洗异常的情况，导致大量不良晶片(BadDie)的产生，因此必须对于晶片斜边清洗制作工艺是否发生异常进行检测与监控，以防止大量不良晶片产生的情况。

目前检测晶片斜边清洗异常的方式，例如是通过定时检测晶片斜边清洗的数据或是抽样裸视检测的方式，但这样的检测方式，不但无法达到即时检测与监控的功效，同时也耗费相当多的人力成本。因此，如何针对上述的问题进行改善，实为本领域相关人员所关注的焦点。

实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种电化学电镀设备，其具有用以检测晶片的待测边缘的检测装置，以在电化学电镀制作工艺中达成即时检测晶片的边缘是否产生清洗异常的情况。

本实用新型另一目的在于提供一种晶片边缘检测系统，其具有用以检测晶片的待测边缘的检测装置，以在电化学电镀制作工艺中达成即时检测晶片的边缘是否产生清洗异常的情况。

为达上述目的，本实用新型所提供一种电化学电镀设备，包括电镀与边缘金属清洗模块、承载平台、第一机械手臂以及至少一检测装置。电镀与边缘金属清洗模块用以对晶片进行电镀制作工艺与边缘金属清洗制作工艺。承载平台用以承载晶片。第一机械手臂位于电镀与边缘金属清洗模块与承载平台之间，用以抓取晶片于电镀与边缘金属清洗模块与承载平台之间移动。检测装置配置于承载平台，用以检测置放于承载平台的晶片的待测边缘，检测装置包括影像撷取单元、第一光源以及第二光源。影像撷取单元位于晶片的上方，用以撷取晶片的待测边缘的影像，且影像撷取单元的光轴与晶片的顶表面之间具有夹角，夹角的范围介于30度至90度之间。第一光源位于晶片的上方，第一光源的第一发光面面向待测边缘。第二光源位于晶片的下方，第二光源的第二发光面面向待测边缘。

在本实用新型的一实施例中，上述的影像撷取单元与晶片的顶表面之间具有间距，间距大于0厘米且小于5厘米。

在本实用新型的一实施例中，上述的第一光源的第一发光面与晶片的顶表面之间具有夹角，夹角的范围介于20度至70度之间。

在本实用新型的一实施例中，上述的第一光源与晶片的顶表面之间具有间距，间距大于0厘米且小于20厘米。

在本实用新型的一实施例中，上述的第二光源的第二发光面平行于晶片的一与顶表面相对的底表面。

在本实用新型的一实施例中，上述的影像撷取单元的光轴与晶片的顶表面之间的夹角为60度。

在本实用新型的一实施例中，上述的至少一检测装置的数量为多个，这些检测装置沿着圆形轨迹配置，且这些检测装置彼此之间的间距相等。

在本实用新型的一实施例中，上述的第一光源与第二光源所分别发出的光线为波长范围介于620纳米至750纳米之间的红色光线。

在本实用新型的一实施例中，上述的第一光源与第二光源所分别发出的光线为红外线。

在本实用新型的一实施例中，上述的电化学电镀设备，还包括加热模块、晶片传送盒以及第二机械手臂。加热模块用以对晶片进行热处理制作工艺。晶片传送盒用以容置晶片。第二机械手臂位于承载平台、加热模块以及晶片传送盒之间，用以抓取晶片以使晶片于承载平台、加热模块以及晶片传送盒之间移动。