[实用新型]基于III族氮化物的半导体构件

权利要求书

1.一种基于III族氮化物的半导体构件，其特征在于包含：

具有表面的半导体材料；

在所述半导体材料上的电场截止层；

在所述电场截止层上的第一III族氮化物材料层；

多个沟槽，其中所述多个沟槽中的每个沟槽都延伸穿过所述第一III族氮化物材料层、所述电场截止层，并进入所述半导体材料内，并且其中所述多个沟槽中的每个沟槽都具有底面和相对的侧壁；

至少在所述多个沟槽的第一沟槽的所述相对侧壁上的、在所述多个沟槽的第二沟槽的所述相对侧壁上的，以及在所述多个沟槽的所述第二沟槽的所述底面上的绝缘材料层；以及

在所述多个沟槽的所述第一沟槽和所述多个沟槽的所述第二沟槽内的沟槽填充材料。

2.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述半导体材料包含：

半导体材料体；以及

在所述半导体材料体上的成核层。

3.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述电场截止层与所述半导体材料接触，并且所述III族氮化物半导体材料层与所述电场截止层接触。

4.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中在所述多个沟槽的所述第一沟槽的所述相对侧壁上的以及在所述多个沟槽的所述第二沟槽的所述相对侧壁上的所述绝缘材料层包括氮化铝或氮化硅之一。

5.根据权利要求4所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中在所述多个沟槽的所述第一沟槽内的以及在所述多个沟槽所述第二沟槽内的所述沟槽填充材料包括导电材料或电绝缘材料之一。

6.根据权利要求5所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中在所述多个沟槽的所述第一沟槽内的所述沟槽填充材料与所述半导体材料接触。

7.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述绝缘材料层与所述多个沟槽的所述第一沟槽的所述底面接触。

8.根据权利要求7所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中在所述多个沟槽中的所述第一沟槽以及所述多个沟槽中的所述第二沟槽的所述底面和所述相对侧壁上的所述绝缘材料层包括氮化铝或氮化硅之一。

9.根据权利要求1所述的基于III族氮化物的半导体构件，还包含：形成于应变层上的控制电极和第一及第二载流电极以及形成于所述第一载流电极或所述第二载流电极之一与在所述多个沟槽的所述第一沟槽内的所述沟槽填充材料之间的电互连。

10.一种基于III族氮化物的半导体构件，其特征在于包含：

半导体材料；

在所述半导体材料上的电场截止层；

在所述电场截止层上的多个化合物半导体材料层；

延伸穿过所述多个化合物半导体材料层和所述电场截止层的第一沟槽，所述第一沟槽具有第一及第二侧壁和底面；

延伸穿过所述多个化合物半导体材料层和所述电场截止层的第二沟槽，所述第二沟槽具有第一及第二侧壁和底面；

在所述第一沟槽的所述第一及第二侧壁以及所述第二沟槽的所述底面和第一及第二侧壁上的绝缘材料；

在所述第一及第二沟槽内的沟槽填充材料；以及

在所述第一及第二沟槽之间的所述多个化合物半导体材料层之上的控制电极和第一及第二载流电极。

11.根据权利要求10所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述多个化合物半导体材料层包含：

在所述半导体材料上的氮化铝层；

在所述氮化铝层上的III族-N半导体材料层；

在所述III族-N半导体材料层上的氮化镓层；以及

在所述氮化镓层上的氮化铝镓层。

12.根据权利要求10所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述半导体材料包含：

半导体材料体；以及

在所述半导体材料体上的成核层。

13.根据权利要求10所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中所述电场截止层在所述半导体材料体与所述多个化合物半导体材料层中的第一层之间且与它们接触。

14.根据权利要求10所述的基于III族氮化物的半导体构件，其中在所述第一及第二沟槽内的所述沟槽填充材料包括掺杂的多晶硅或氧化物之一。