[发明专利]半导体绝缘电阻监控方法

权利要求书

1.一种半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，包括：

提供待检测晶圆，所述晶圆的表面设有再造钝化层；

测量所述再造钝化层表面的漏电流以确定所述再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值；

判断所述电阻值是否满足合格条件；以及

基于所述判断的结果执行相应的处理；

在测量所述再造钝化层表面的漏电流之前，对所述再造钝化层的表面进行蚀刻处理以去除碳化层；

所述基于所述判断的结果执行相应的处理，包括：

若判断结果为满足合格条件，则执行后续半导体制作工艺；

若判断结果为不满足合格条件，且所述蚀刻处理达到预定次数，则报废所述晶圆；

若判断结果为不满足合格条件，且所述蚀刻处理未达到预定次数，则再次进行所述蚀刻处理以去除碳化层后，再次执行所述测量。

2.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，所述测量所述再造钝化层表面的漏电流包括：

利用电流测量装置在同一电压下针对所述再造钝化层实施多次电流测量。

3.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，所述判断所述电阻值是否满足合格条件，包括：

判断所述电阻值是否大于预定阈值。

4.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，在首次执行所述测量之前，对所述再造钝化层执行两次所述蚀刻处理。

5.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，所述预定次数为三次。

6.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，

所述再造钝化层包括第一再造钝化层和第二再造钝化层，分别针对所述第一再造钝化层和所述第二再造钝化层执行所述测量，其中，

所述第二再造钝化层形成在所述第一再造钝化层之后，并且针对所述第一再造钝化层的测量在所述第二再造钝化层形成之前。

7.根据权利要求2所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，

所述电流测量装置包括：一对探针，所述探针具有探头，用以接触所述再造钝化层的表面；测试主机，通过导线连接所述探针，用以控制测阻的进程以及显示测量数据；以及使所述探针沿竖直方向上下移动的运动导轨，所述探针固定于所述运动导轨内，且所述探头位于所述运动导轨的下方；

确定所述再造钝化层表面的绝缘电阻的电阻值的方法包括：

将测试主机连接电源，对所述测试主机施加电压；

移动所述运动导轨使所述探针向下运动至所述探头接触所述再造钝化层的表面，获得所述电压对应的漏电流；

由所述电压和其对应的漏电流确定所述绝缘电阻的电阻值。

8.根据权利要求1所述的半导体绝缘电阻监控方法，其特征在于，测量所述再造钝化层表面的漏电流时，所述晶圆放置于真空旋转吸盘顶部的真空吸附平面上，通过光电对中装置对所述晶圆进行对准。