[发明专利]沟槽栅IGBT及沟槽栅IGBT制作方法

权利要求书

1.一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括：

衬底及位于衬底中的沟槽，沟槽上端露出衬底上表面，沟槽露出衬底上表面的部分被覆盖在衬底上表面的第一覆盖层覆盖，在相邻两个沟槽之间的衬底上设置有发射极区，发射极区及第一覆盖层均被第二覆盖层覆盖，沟槽未露出衬底的部分填满填充物，其中，第一覆盖层用于将第二覆盖层与填充物隔离。

2.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述填充物由覆盖在沟槽内表面的二氧化硅层和覆盖在二氧化硅层表面的多晶硅组成。

3.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，所述发射极区由分别与两个沟槽相接触的两个发射极子区组成。

4.根据权利要求1-3任一所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，

所述第一覆盖层为钝化层。

5.根据权利要求1-3任一所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，

所述第一覆盖层包括覆盖在衬底表面的二氧化硅层与覆盖在二氧化硅层表面的钝化层。

6.根据权利要求1所述的沟槽栅IGBT，其特征在于，

第二覆盖层为发射极金属层。

7.一种沟槽栅IGBT制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成掺杂区；

在衬底和掺杂区形成沟槽，其中，沟槽贯穿掺杂区且沟槽底部位于衬底中；

在沟槽内表面生成氧化层；

在沟槽内淀积填充物，将沟槽完全填充，以形成栅电极；

对掺杂区表面及沟槽内的填充物进行刻蚀，使沟槽上部露于掺杂区外，并使沟槽内部填充物的表面与刻蚀完后的掺杂区上表面平齐；

对掺杂区表面及沟槽淀积第一覆盖层，第一覆盖层将沟槽露出掺杂区的部分完全覆盖；

在相邻两个沟槽之间的掺杂区上形成发射极区；

在第一覆盖层与发射极区上淀积发射极金属。

8.根据权利要求7所述的沟槽栅IGBT制作方法，其特征在于，在相邻两个 沟槽之间的衬底上形成发射极区，具体包括：

对两个沟槽之间的第一覆盖层进行刻蚀，以露出掺杂区；

向露出的掺杂区注入第一型杂质，形成第一型杂质层，所述第一型杂质层与所述两个沟槽相接触，其中，第一型杂质应与掺杂区的掺杂类型相反；

对第一型杂质层中部进行刻蚀，以露出掺杂区，保留两个第一型杂质子层，其中，两个第一型杂质子层分别为所述第一型杂质层与所述两个沟槽相接触的部分；

向露出的掺杂区注入与第一型杂质相反的第二型杂质，形成第二型杂质层，所述第二型杂质层与两个第一型杂质子层均相接触。

9.根据权利要求7所述的沟槽栅IGBT制作方法，其特征在于，

所述第一覆盖层为硼磷硅玻璃。

10.根据权利要求7-9任一所述的沟槽栅IGBT制作方法，其特征在于，所述填充物为多晶硅。