[发明专利]图形化多孔硅的制备方法

权利要求书

1.一种图形化多孔硅的制备方法，其特征在于，包括：

在硅片的表面形成若干金属掩膜；

刻蚀具有所述金属掩膜的硅片，以使所述硅片的暴露区与所述金属掩膜共销蚀，在所述硅片的暴露区形成若干孔，得到所述图形化多孔硅；

在所述硅片的表面形成所述若干金属掩膜的具体方法包括：

图形化所述硅片，在所述硅片的表面形成若干介质掩膜；在所述硅片的具有介质掩膜的一侧沉积金属层；剥离所述介质掩膜及位于其表面的金属层，以使所述硅片表面的金属层形成所述金属掩膜；

或在所述硅片的表面沉积金属层；在所述硅片具有所述金属层的一侧形成若干介质掩膜；刻蚀所述具有介质掩膜的硅片，以使所述金属层的未被所述介质掩膜覆盖的暴露区销蚀，形成所述金属掩膜；

所述金属掩膜的刻蚀速率为2nm/min～8nm/min；所述硅片的刻蚀速率为1μm/min～4μm/min；所述金属掩膜选自由金属Ni、Cu、Au、Cr中的任意一种形成的单一金属层或依次叠层设置的若干所述单一金属层，或选自由至少两种所述金属形成的合金中的任意一种；所述金属掩膜在刻蚀液中的刻蚀速率低于所述硅片在所述刻蚀液中的刻蚀速率；所述金属掩膜的厚度通过其与所述硅片在所述刻蚀液中的刻蚀速率之比以及所述图形化多孔硅的孔深来确定，以达到所述硅片的暴露区与所述金属掩膜的共销蚀。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述介质掩膜为光刻胶掩膜。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在刻蚀具有所述金属掩膜的硅片时，刻蚀方法选自双槽电解法、原电池法或化学腐蚀法中的任意一种。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在刻蚀具有所述金属掩膜的硅片时，刻蚀液为含有氢氟酸与有机试剂的混合溶液。

5.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述硅片为<100>晶向的单晶硅，所述硅片的厚度为150μm～500μm，所述硅片为中度掺杂或重度掺杂；其中，所述中度掺杂指经过掺杂的所述硅片的电阻率为0.1Ω·m～100Ω·m，所述重度掺杂指经过掺杂的所述硅片的电阻率小于0.1Ω·m。

6.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，在剥离所述介质掩膜及位于其表面的金属层时，剥离液选自丙酮、N-甲基吡咯烷酮中的任意一种。