[发明专利]一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法

权利要求书

1.一种适用于高线密度透射光栅的光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法，包括以下步骤：

A)，在硅片上制作具有光栅衍射特性的多个对准标志图形，各对准标志图形具有与所述硅片的定位边平行的两长边；

B)，将步骤A)得到的硅片进行湿法刻蚀，使所述对准标志图形的长边沿着硅片的{111}晶面截止，得到具有多个第一对准标志图形的硅片；

C)，定位表征光栅掩模的基准线，采用激光照射所述多个第一对准标志图形的长边，得到所述多个第一对准标志图形的长边的衍射斑，将所述基准线与所述衍射斑重合。

2.根据权利要求1所述的对准方法，其特征在于，所述对准标志图形为矩形。

3.根据权利要求2所述的对准方法，其特征在于，所述矩形的长边为50～1000μm，宽度为10～50μm。

4.根据权利要求1或2所述的对准方法，其特征在于，所述对准标志图形的数量大于20，总面积小于1mm²。

5.根据权利要求1或2所述的对准方法，其特征在于，所述硅片为<110>硅片或<100>硅片。

6.根据权利要求1或2所述的对准方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的时间小于4h。

7.根据权利要求1或2所述的对准方法，其特征在于，所述湿法刻蚀的刻蚀液为各向异性刻蚀液。