[发明专利]镍金凸块的制作方法及镍金凸块组件有效
| 申请号： | 201510778810.4 | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105355574B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 梅嬿 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/3213;H01L23/48 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 镍金凸块 制作方法 组件 | ||
1.一种镍金凸块的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一晶圆，所述晶圆上设置有金属垫块；
在所述晶圆及所述金属垫块的上方设置有钝化保护层，在所述钝化保护层和部分所述金属垫块上溅镀第一金属层，并在第一金属层上溅镀第二金属层；
在所述第二金属层上设置光阻层；
曝光显影，在所述光阻层上制造所述凸块的窗格，所述窗格正对于所述金属垫块的位置；
在所述窗格内电镀镍质金属层，并在所述镍质金属层上电镀形成金质金属层，所述镍质金属层和金质金属层的侧面贴合在所述窗格的侧面上；
在所述金质金属层的上表面电镀预留层；
去除光阻层，用化学药剂去除所述窗格之外的光阻层；
通过物理轰击的干蚀刻方式自上向下均匀蚀刻去除位于所述凸块底部外侧的第二金属层；
利用湿蚀刻方式蚀刻去除第一金属层；
高温烘烤释放应力后，完成所述凸块的制作。
2.根据权利要求1所述的镍金凸块制作方法，其特征在于：通过设定蚀刻机的蚀刻量参数不小于所述第二金属层的厚度来确保位于所述凸块外侧的所述第二金属层被完全蚀刻去除。
3.根据权利要求1所述的镍金凸块制作方法，其特征在于：所述第一金属层的材质为钛或钛钨。
4.根据权利要求1所述的镍金凸块制作方法，其特征在于：所述第二金属层的材质为金。
5.一种镍金凸块组件，凸出形成于半导体晶圆组件上方，其特征在于：所述镍金凸块组件包括下端带凸出部的凸块、粘合在所述凸块与所述晶圆组件之间的金属层，所述凸块包括金质金属层、设置于所述金质金属层下的镍质金属层以及设置于所述金质金属层上的预留层，所述凸块和金属层分别具有位于顶端的上表面和位于底端的下表面，所述金属层包括设置在所述凸块下方的种子金属层、及设置在所述种子金属层下的衬底金属层，所述凸块和种子金属层分别具有位于四周的第一侧面和第二侧面，所述种子金属层的材质为金且所述种子金属层通过物理轰击的干蚀刻方式制得，以使得所述凸块的第一侧面和所述种子金属层的对应第二侧面在竖直方向上相平齐；所述衬底金属层利用湿蚀刻方式蚀刻制得。
6.根据权利要求5所述的镍金凸块组件，其特征在于：所述晶圆组件包括晶圆、设置于所述晶圆上的金属垫块，以及设置在所述金属垫块和所述晶圆上的钝化保护层，所述钝化保护层上具有一与所述凸块的凸出部相配合的倒锥台孔。
7.根据权利要求5所述的镍金凸块组件，其特征在于：所述预留层的材质为金。
8.根据权利要求5所述的镍金凸块组件，其特征在于：所述衬底金属层的材质为钛或钛钨。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
