[发明专利]有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光器件领域，具体涉及一种有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置。

背景技术

有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiodes，简称OLED)被誉为新一代平板显示器件，具有自发光、宽视角、对比度高、反应时间快、柔性显示等优势，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。有机发光二极管包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极层，为了提高有机发光二极管器件中的导电性能，一般会对空穴传输层进行P型掺杂和/或对电子传输层进行N型参杂，其中P型掺杂物主要氧化钼、氧化钨、碳酸铯等，N型掺杂物主要是碱金属化合物，如氟化锂等。在制作过程中，通过蒸镀具有P型掺杂的材料来形成具有P型掺杂的空穴传输层或通过蒸镀具有N型掺杂的材料来形成具有N型掺杂的电子传输层。蒸镀形成的结构可以提升有机发光二极管器件本身的效率和降低电压，但是对有机发光二极管器件的出光率并没有什么提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种有机发光二极管及其制作方法、显示基板和显示装置，以在提升有机发光二极管本身的效率和降低电压的同时，提高有机发光二极管器件的出光率。

为了实现上述目的，本发明提供一种有机发光二极管，包括电子传输层和空穴传输层，所述电子传输层中掺杂有N型掺杂物，所述N型掺杂物包括多个由N型半导体材料制成的纳米颗粒或纳米线；和/或所述空穴传输层中掺杂有P型掺杂物，所述P型掺杂物包括多个由P型半导体材料制成的纳米颗粒或纳米线。

优选地，所述纳米线的直径在5～100nm之间，长度在0.2～20um之间；所述纳米颗粒的粒径在5～100nm之间。

优选地，所述N型半导体材料包括硒化锌、氟化锌中的任意一种；所述P型半导体材料包括碲化铋、硫化镉、硒化镉、氮化镓、二氧化钛、氧化锌中的任意一种。

相应地，本发明还提供一种有机发光二极管的制作方法，包括：

提供待形成膜层的溶液；

在所述待形成膜层的溶液中掺杂纳米线或纳米颗粒，其中，所述待形成膜层为电子传输层，所述纳米线和所述纳米颗粒的材料为N型半导体材料；或者，所述待形成膜层为空穴传输层，所述纳米线和所述纳米颗粒的材料为P型半导体材料；

将掺杂有纳米线或纳米颗粒的溶液涂覆在基板上。

优选地，所述在待形成膜层的溶液中掺杂纳米线或纳米颗粒的步骤包括：

在基片上形成多个纳米线或纳米颗粒；

将形成有纳米线或纳米颗粒的基片放置于所述待形成膜层的溶液中；

振荡所述待形成膜层的溶液，以使得所述纳米线或纳米颗粒从所述基片上脱落。

优选地，所述振荡所述待形成膜层的溶液的步骤包括：利用超声振荡仪对所述溶液进行超声振荡。

优选地，所述在基片上形成多个纳米线或纳米颗粒的步骤包括：

在所述基片上形成具有多个孔道的模板，所述孔道的孔径为纳米级；

在所述孔道内形成用于形成N型半导体或P型半导体的源材料金属；

对所述孔道的源材料金属进行氧化，以形成N型半导体或P型半导体；

去除所述模板。

优选地，所述基片为金属基片，所述在所述基片上形成具有多个孔道的模板的步骤包括：

将所述基片置于电解质溶液中并对所述基片进行阳极化处理，以在所述基片表面形成金属氧化物层，且所述金属氧化物层被所述电解质腐蚀形成多个所述孔道，形成有孔道的金属氧化物层即为所述模板。

优选地，在所述将所述基片置于电解质溶液中进行阳极化处理的步骤之前还包括：

对所述基片进行退火处理或抛光处理。

优选地，所述基片为铝片，所述去除所述模板的步骤包括：

利用碱性溶液溶解掉所述金属氧化物层，并保留所述孔道内的N型半导体或P型半导体。

优选地，所述在利用碱性溶液溶解掉所述金属氧化物层的步骤包括：利用超声振荡仪对所述碱性溶液进行超声振荡。

优选地，所述基片为石英基片，所述在所述基片上形成具有多个孔道的模板的步骤包括：

将所述基片置于反应腔室中；

向所述反应腔室中通入反应气体，以在所述基片上形成碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列即为所述具有多个孔道的模板。

优选地，所述反应气体包括氢气、乙炔和氩气。

优选地，所述孔道的深度在0.2～20μm之间，孔径在5～100nm之间。