[发明专利]处理装置以及处理方法

说明书

实施方式的处理装置具备：收纳氢氟酸缓冲液的收纳部；使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部；将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部；将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部；对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部；以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。

相关申请的交叉引用

本申请基于2014年11月4日提出的日本在先申请第2014-224480号并要求其优先权，该申请的全部内容通过引用记入本申请中。

技术领域

本发明的实施方式涉及处理装置以及处理方法。

背景技术

在半导体装置、平板显示器等电子设备的制造中，执行使用了氢氟酸缓冲液(BHF；buffered hydrogen fluoride)的蚀刻处理和洗净处理等。

在使用了氢氟酸缓冲液的处理中，为了应对微细化而不断地将氢氟酸缓冲液的处理速率(例如蚀刻处理中的蚀刻速率、洗净处理中的除去速率等)设定得低。

此外，在使用了氢氟酸缓冲液的处理中，不断地将已使用的氢氟酸缓冲液回收而再利用。

但是，若反复使用相同的氢氟酸缓冲液，则有处理速率逐渐变高的问题。

若处理速率逐渐变高，则使得氧化膜等的除去量逐渐增加等，成为电子设备的品质不均匀的主要原因。

因此，期望即使是再利用氢氟酸缓冲液的情况也能够抑制处理速率的变动的技术的开发。

发明内容

一技术方案的处理装置具备：收纳部，收纳氢氟酸缓冲液；处理部，使用上述氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理；供给部，将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给；回收部，将在上述处理部中使用后的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给；运算部，对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算；以及补充液供给部，将包含氨和水在内、与运算后的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给。

另一技术方案的处理方法，具备如下工序：使用氢氟酸缓冲液来进行处理物的处理的工序；将进行上述处理物的处理的工序中所使用过的上述氢氟酸缓冲液回收并再利用的工序；求取所回收的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量的工序；以及将含有氨和水在内、与所求出的上述氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向进行再利用的上述氢氟酸缓冲液供给的工序。

附图说明

图1是用于例示本实施方式的处理装置1的示意图。

图2是用于例示处理液100的蒸发量和蚀刻速率(处理速率)的关系的曲线图。

图3是用于例示补充液110的氨的浓度与蚀刻速率的关系的曲线图。

具体实施方式

实施方式的处理装置具备：收纳氢氟酸缓冲液的收纳部；使用上述氢氟酸缓冲液进行处理物的处理的处理部；将上述收纳部所收纳的上述氢氟酸缓冲液向上述处理部供给的供给部；将在上述处理部中使用过的上述氢氟酸缓冲液回收而向上述收纳部供给的回收部；对上述氢氟酸缓冲液的蒸发量进行运算的运算部；以及将包含氨和水在内、与上述运算出的氢氟酸缓冲液的蒸发量相同量的补充液向上述氢氟酸缓冲液供给的补充液供给部。

以下，参照附图对实施方式进行例示。

图1是用于例示本实施方式的处理装置1的示意图。

如图1所示，处理装置1中设有处理部2、处理液供给回收部3、补充液供给部4以及控制部5。

处理部2使用氢氟酸缓冲液(以下称为处理液100)来进行处理物的处理。