[发明专利]用于热管理的背侧散热器的集成

说明书

本发明涉及用于热管理的背侧散热器的集成。一种微电子器件(100)包括半导体器件(102)，其中，在该半导体器件(102)的前表面(104)处具有组件(108)并且在该半导体器件(102)的后表面(106)上具有背侧散热器层(110)。该背侧散热器层(110)的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦特/(米·开尔文)的层内导热系数、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。

技术领域

本发明涉及微电子器件的领域。更具体地，本发明涉及在微电子器件中的热管理结构。

背景技术

具有局部生热组件的半导体器件经历导致降低可靠性的热点。去除热量同时保持期望的成本和结构形式因素已经是个问题。

发明内容

下面呈现简单的概述以便提供对该发明的一个或更多方面的基本理解。此概述不是该发明的广泛综述，并且既不旨在标识该发明的关键或重要因素，也不旨在描绘其范围。而是，该概述的主要目的是以简化的形式呈现该发明的一些概念，作为之后呈现的更加详细的描述的前序。

一种微电子器件包括半导体器件，在该半导体器件的前表面处具有组件并且在该半导体器件的后表面上具有背侧散热器层。该背侧散热器层的厚度为100纳米至3微米，具有至少150瓦特/(米·开尔文)的层内导热系数(in-plane thermal conductivity)、以及小于100微欧姆厘米的电阻率。

附图简要说明

图1是具有背侧散热器层的示例性微电子器件的截面。

图2是具有背侧散热器层的另一个示例性微电子器件的截面。

图3是具有背侧散热器层的另一个示例性微电子器件的截面。

图4是具有背侧散热器层的另一个示例性微电子器件的截面。

图5A至图5C描绘了形成具有背侧散热器层的微电子器件的示例性过程。

图6描绘了一种用于在微电子器件上形成背侧散热器层的示例性方法。

图7A和图7B描绘了用于在微电子器件上形成散热器层的另一个示例性方法。

具体实施方式

以下同时处于申请状态的专利申请(co-pending patent application)是相关的并且通过以下引用结合在此：美国专利申请12/xxx,xxx(德州仪器案卷号TI-73378与此申请同时提交)。

参照这些附图描述本发明。这些附图不是按比例绘制的并且提供它们仅为了说明该发明。以下参照用于说明的多个示例性应用描述了该发明的若干方面。应当理解的是，列出许多具体的细节、关系和方法以提供对该发明的理解。然而，相关领域的技术人员将容易地意识到，能够无需这些具体细节中的一个或更多细节或者使用其他方法来实践该发明。在其他实例中，没有详细地示出众所周知的结构或者操作以避免混淆该发明。本发明不受展示的行动或者事件的顺序所限制，因为某些行动可以以不同的顺序发生和/或与其他行动或者事件同时发生。此外，不要求所有展示的行动或者事件根据本发明实施方法。

为了本披露的目的，术语“微电子器件”可以指诸如集成电路或者离散半导体组件的半导体器件，可以指与其他半导体器件在一个薄片中的半导体器件，可以指安装在衬底上的半导体器件，可以指在封装中的半导体器件，以及可以指被密封在电绝缘材料中的半导体器件。