[发明专利]用于热管理的背侧散热器的集成

权利要求书

1.一种形成微电子器件的方法，包括以下步骤：

为所述微电子器件的半导体器件提供器件衬底，所述器件衬底具有前表面和后表面；

在所述前表面处形成组件；

在所述后表面上形成粘合层，所述粘合层包括钛、钛钨或镍；以及

在所述粘合层上形成散热器材料以形成背侧散热器层，所述散热器材料的厚度为100纳米至3微米、具有至少150瓦特/米·开尔文的层内导热系数以及小于100微欧姆厘米的电阻率，其中，形成所述散热器材料包括使用甲烷和氢气以形成石墨层的等离子体增强式化学气相沉积即PECVD工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述散热器材料包括氮化硼。

3.如权利要求1所述的方法，包括将所述散热器材料图案化。

4.如权利要求1所述的方法，包括在所述散热器材料上形成盖层，所述盖层包括钛和氮化钛。

5.如权利要求1所述的方法，包括在所述散热器材料上形成盖层，所述盖层包括铜和镍。

6.如权利要求4或5所述的方法，包括通过形成接触接地板和所述盖层的固晶材料层来将所述半导体器件贴附到封装的接地板上。

7.如权利要求6所述的方法，其中，所述固晶材料层是导电的。

8.如权利要求4或5所述的方法，包括在所述前表面处形成凸块键合，以及将散热件贴附到所述盖层上。

9.一种形成微电子器件的方法，包括以下步骤：

为所述微电子器件的半导体器件提供器件衬底，所述器件衬底具有前表面和后表面；

在所述前表面处形成组件；

在所述后表面上形成粘合层，所述粘合层包括钛、钛钨或镍；以及

在所述后表面处形成散热器材料以形成背侧散热器层，所述散热器材料的厚度为100纳米至3微米、具有至少150瓦特/米·开尔文的层内导热系数以及小于100微欧姆厘米的电阻率，其中，形成所述散热器材料包括在所述后表面上形成包括分散在溶剂中的CNT的CNT分散层，接着是加热所述器件衬底以移除所述溶剂的至少一部分以在连续层中形成互相重叠的CNT层。

10.如权利要求9所述的方法，其中，所述散热器材料包括氮化硼。

11.如权利要求9所述的方法，包括将所述散热器材料图案化。

12.如权利要求9所述的方法，包括在所述散热器材料上形成盖层，所述盖层包括钛和氮化钛。

13.如权利要求9所述的方法，包括在所述散热器材料上形成盖层，所述盖层包括铜和镍。

14.如权利要求12或13所述的方法，包括通过形成接触接地板和所述盖层的固晶材料层来将所述半导体器件贴附到封装的接地板上。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述固晶材料层是导电的。

16.如权利要求12或13所述的方法，包括在所述前表面处形成凸块键合，以及将散热件贴附到所述盖层上。