[发明专利]一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法

权利要求书

1.一种化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：将基底置于真空反应装置中，在还原性气体气氛中，升温至400～1100℃，再通入硼源气体，同时保持还原性气体流量1～200sccm，1～240min后即在基底上获得沉积硼薄膜；

所述通入硼源气体是通过加热固体硼源获得；

所述的固体硼源为晶体或无定型硼、三氧化硼、硼酸、四硼酸钠、癸硼烷的一种或两种以上混合物；

所述真空反应装置有两个不同的温区，将固体硼源放入与基底不同的温区，通过加热气化获得硼源气体。

2.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于：所述基底为金属基底或外延基底。

3.根据权利要求2所述的化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于：所述金属基底为铜箔、银箔、镍箔、金箔、铂箔、钨箔、钼箔、钛箔或锗、硅基底或者上述金属的薄膜。

4.根据权利要求2所述的化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于：所述外延基底为蓝宝石、石英片、云母、石墨烯、氮化硼、硫化钼、硫化钨、碲化铋、硒化铋、硫化铋、碲化锑或硒化锑。

5.根据权利要求1所述的化学气相沉积制备原子级硼薄膜的方法，其特征在于：所述还原性气体为氢气或氢气与氩气的混合气体。