[发明专利]MEMS器件、半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种MEMS器件，所述MEMS器件具有密闭的腔体，所述腔体具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，其特征在于，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角为20°～90°。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述凹槽的形状为圆弧形、梯形或V形。

4.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述吸气剂薄膜的材料选自Ti、Zr、Tu或者其任意组合形成的合金。

5.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，相邻的凹槽之间相互邻接或具有间隔。

6.根据权利要求1所述的MEMS器件，其特征在于，所述MEMS器件包括器件衬底和封帽衬底，所述器件衬底上形成有第一空腔，所述封帽衬底上形成有第二空腔，所述封帽衬底与所述器件衬底键合，所述第一空腔和第二空腔拼合形成所述腔体。

7.一种半导体器件，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有在第一平面内延伸的表面，所述表面包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域，其特征在于，所述薄膜淀积区域形成有一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°，所述吸气剂薄膜覆盖所述凹槽的侧壁。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角为20°～90°。

9.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述凹槽的形状为圆弧形、梯形或V形。

10.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，所述吸气剂薄膜的材料选自Ti、Zr、Tu或者其任意组合形成的合金。

11.根据权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，相邻的凹槽之间相互邻接或具有间隔。

12.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件衬底和封帽衬底，所述器件衬底上形成有第一空腔，所述封帽衬底上形成有第二空腔，所述第一空腔或第二空腔具有在第一平面内延伸的内壁，所述内壁包括用于淀积吸气剂薄膜的薄膜淀积区域；

在所述薄膜淀积区域形成一个或多个凹槽，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角大于0°且小于180°；

在所述薄膜淀积区域淀积吸气剂薄膜以覆盖所述凹槽的侧壁；

将所述器件衬底和封帽衬底键合，所述第一空腔和第二空腔拼合形成密闭的腔体。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，淀积形成所述吸气剂薄膜时，入射方向垂直于所述第一平面。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述第一平面的夹角为20°～90°。

15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述凹槽的形状为圆弧形、梯形或V形。

16.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述吸气剂薄膜的材料选自Ti、Zr、Tu或者其任意组合形成的合金。

17.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，相邻的凹槽之间相互邻接或具有间隔。

18.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在所述薄膜淀积区域形成一个或多个凹槽包括：

至少在所述薄膜淀积区域形成掩膜层，图形化所述掩膜层以定义出所述凹槽的图形；

以图形化的掩膜层为掩膜对所述薄膜淀积区域进行刻蚀，以形成所述凹槽；

移除所述图形化的掩膜层。

19.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，采用蒸发、溅射的方式淀积所述吸气剂薄膜。