[发明专利]高频封装基板用覆铜箔层压板的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及覆铜箔层压板技术领域，具体涉及一种高频封装基板用覆铜箔层压板的制备方法。

背景技术

随着电子信息技术的高速发展，电子产品越来越轻薄化、微型化，其结构骨架的PCB板，装载密度越来越高，诸多方面用到封装IC，IC载板简称封装基板。封装基板所用的覆铜箔层压板的基板材料，是当前十分重要的课题。随着IC封装的高频化，高频封装基板所用的覆铜板必须具有高频性能，即不但具有更低膨胀数性能，还必须具有低介电常数、低损耗常数、高热传导率性能。

现有通用耐热型高频覆铜板，是通过提高树脂的交联密度、增加芳香结构的含量来达到耐热性能，其Tg最高为180℃，X、Y膨胀系数数最低为12～16ppm/℃，Z轴膨胀系数数最低为50ppm/℃(Tg前)，介电常数Dk最低为3.8，介质损耗最低为0.008。

发明内容

本发明的目的是提供一种高频封装基板用覆铜箔层压板的制备方法，制备的覆铜箔层压板具有耐高热性能及低介电、低介电损耗常数性能、高热传导率性能。本发明的目的由以下技术方案实现：

一种高频封装基板用覆铜箔层压板的制备方法，其特征在于，包括：

(1)提供下表组分的原材料：

材料名称质量比双马亚酰亚胺(BMI)13.04-23.12％双酚A型二氰酸酯树脂18.18-32.79％双环戊二烯环氧树脂4.54-16.39％二甲基甲酰胺20.83-30.67％乙酰丙酮合钴0.01-0.03％2μm粒径空心玻璃微球4.35-11.56％8μm粒径空心玻璃微球8.69-17.34％硅烷偶联剂KH5601.29-5.88％

(2)聚酰亚胺树脂溶解：加入上表剂量的二甲基甲酰胺溶剂，加热到50～60℃，搅拌状态下加入双马亚酰亚胺，溶解至透明；

(3)再加入上表剂量的双酚A型二氰酸酯树脂，加热至温度为70～90℃，反应预聚60～100min；

(4)加入上表剂量的双环戊二烯环氧树脂，搅拌至溶解，维持温度50～70℃，反应预聚60～100min；

(5)加入上表剂量的乙酰丙酮合钴，调节胶液的胶化时间为200～260s，胶化温度为170～171℃；

(6)加入上表剂量的硅烷偶联剂KH560，搅拌30～60min；

(7)加入上表剂量的2μm粒径空心玻璃微球，高速搅拌30～60min，然后再加入上表剂量的8μm粒径空心玻璃微球，高速搅拌60～120min；

(8)半固化片制备；

(9)叠片、配板、压合；

(10)高温后固化，生产出成品。