[发明专利]发光二极管倒装芯片的制备方法及发光二极管倒装芯片有效
| 申请号： | 201510566597.0 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN105261691B | 公开（公告）日： | 2018-02-13 |
| 发明（设计）人： | 徐琦;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/60 | 分类号： | H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 宋扬,黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 倒装 芯片 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，包括：
在基板上蒸镀反射面层；
在所述反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层；
在所述高反射绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极，得到发光二极管倒装芯片；
在所述反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层包括：
在所述反射面层表面蒸镀掩膜层；
在所述掩膜层表面沉积第一高致密绝缘薄膜层；
在所述第一高致密绝缘薄膜层表面蒸镀所述高反射绝缘薄膜层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述高反射绝缘薄膜层由至少两种绝缘材料交替堆叠构成，所述绝缘材料的折射率的差值大于0.5。
3.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述高反射绝缘薄膜层的制备温度大于等于300℃。
4.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述第一高致密绝缘薄膜层的材料为SiO2、SiN、SiC、TiO2以及Ti3O5中的任一种。
5.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述高反射绝缘薄膜层与所述第一高致密绝缘薄膜层的热膨胀系数的比值在0.9-1.1之间，所述第一高致密绝缘薄膜层与所述反射面层的热膨胀系数的比值在0.9-1.1之间。
6.根据权利要求1所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述在所述反射面层表面蒸镀高反射绝缘薄膜层之后，还包括：
在所述高反射绝缘薄膜层表面沉积第二高致密绝缘薄膜层；
所述在所述高反射绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极，包括：
在所述第二高致密绝缘薄膜层表面蒸镀金属电极。
7.根据权利要求6所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述第二高致密绝缘薄膜层的材料为SiO2、SiN、SiC、TiO2以及Ti3O5中的任一种。
8.根据权利要求6所述的发光二极管倒装芯片的制备方法，其特征在于，所述在基板上蒸镀反射面层之前，还包括：
在基板上依次生长缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，以形成外延层；
在所述外延层上生长氧化铟锡ITO薄膜；
通过刻蚀形成待制备半导体芯片的N型区和P型区；
在所述半导体晶片的表面蒸镀分布式布拉格反射镜DBR层；
对所述DBR层进行图形化处理；
所述在基板上蒸镀反射面层，包括：
在图形化处理后的DBR层表面蒸镀所述反射面层。
9.一种发光二极管倒装芯片，其特征在于，所述发光二极管倒装芯片采用如权利要求1-8中任一项所述的发光二极管倒装芯片的制备方法制得。
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