[发明专利]半导体制造方法

权利要求书

1.一种半导体制造方法，所述方法包括：

提供被涂覆的制品，所述被涂覆的制品具有衬底以及通过分解和热化学气相沉积施加到所述衬底上的层，所述层由流体材料施加；然后

将所述被涂覆的制品定位在系统中以便生产半导体产品。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述分解是使二甲基硅烷分解。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述层包含氧化二甲基硅烷。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述层施加到氧化层、预处理层或它们的组合上。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化层包含氧化碳硅烷材料。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化层包含氧化二甲基硅烷。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述层包含施加到所述氧化二甲基硅烷上的三甲基硅烷。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体材料为气体。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述流体材料为等离子体。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述被涂覆的制品是管并且所述层是所述管的内表面，所述被涂覆的制品是配件并且所述层是所述配件的内表面，所述被涂覆的制品是管道并且所述层是所述管道的内表面，或所述被涂覆的制品是室并且所述层是所述室壁的内表面。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包含结晶固体、多晶材料或无定形材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括本征半导体。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括具有正电荷导体的非本征半导体。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品选自纯元素半导体和化合物半导体。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述半导体产品包括由锑化铟(InSb)、砷化铟(InAs)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、锑化镓(GaSb)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、锗化硅(SiGe)或硫化硒(SeS)组成的表面。