[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤，其特征在于，通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形；

所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：

形成贯穿所述第二绝缘层和所述第一透明导电层的第一过孔的步骤，其中，所述第一过孔包括形成在所述第二绝缘层上的第一子孔以及形成在所述第一透明导电层上的第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层包括公共电极，所述第二透明导电层包括像素电极，所述公共电极为板状电极，所述像素电极为狭缝电极；

所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：

依次形成第一透明导电薄膜和第二绝缘薄膜；

在所述第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

利用第一掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域包括对应公共电极所在位置的区域，所述光刻胶去除区域包括对应第一过孔所在位置的区域；

对所述光刻胶去除区域的第二绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第二绝缘薄膜上形成第一子孔；

采用过刻工艺对所述光刻胶去除区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀，在所述第一透明导电薄膜上形成第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径，所述第一子孔和所述第二子孔连通形成所述第一过孔；

剥离光刻胶，形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述依次形成薄膜晶体管、第一绝缘层、第一透明导电层、第二绝缘层和第二透明导电层的图形的步骤包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管的图形；

在所述薄膜晶体管上形成第一绝缘层的图形，所述第一绝缘层上形成有第二过孔；

通过一次构图工艺在所述第一绝缘层上形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形，其中，所述第一透明导电层和第二绝缘层上形成有第一过孔，所述第一过孔与至少部分所述第二过孔连通形成接触孔；

在所述第二绝缘层上形成第二透明导电层的图形，所述第二透明导电层包括像素电极，所述像素电极通过所述接触孔与所述薄膜晶体管的漏电极连接。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，还包括：

形成公共电极线的步骤，所述公共电极与所述公共电极线连接，所述公共电极线与所述薄膜晶体管的栅电极或源/漏电极同层同材料，且通过一次构图工艺形成。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一透明导电层包括像素电极，所述第二透明导电层包括公共电极，所述像素电极为板状电极，所述公共电极为狭缝电极；

所述制作方法还包括：形成公共电极线的步骤，所述公共电极线与所述薄膜晶体管的栅电极或源/漏电极同层同材料，且通过一次构图工艺形成；

所述通过一次构图工艺形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形的步骤包括：

依次形成第一透明导电薄膜和第二绝缘薄膜；

在所述第二绝缘薄膜上涂覆光刻胶；

利用第二掩膜版，对所述光刻胶进行曝光和显影，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域包括对应像素电极所在位置的区域，所述光刻胶去除区域包括对应第一过孔所在位置的区域以及其他区域；

对所述光刻胶去除区域的第二绝缘薄膜进行刻蚀，在所述第二绝缘薄膜上形成第一子孔；

采用过刻工艺对所述光刻胶去除区域的第一透明导电薄膜进行刻蚀，在所述第一透明导电薄膜形成第二子孔，所述第二子孔的孔径大于所述第一子孔的孔径，所述第一子孔和所述第二子孔连通形成所述第一过孔；

剥离光刻胶，形成第一透明导电层和第二绝缘层的图形。