[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2014年9月26日在大韩民国提交的韩国专利申请第 10-2014-0129522号的优先权权益，其全部内容通过引用并入本文中。

技术领域

本公开涉及有机发光二极管显示装置，并且更具体地，涉及有机发光 二极管显示装置及其制造方法。该有机发光二极管显示装置提供了均匀的 亮度并且具有大尺寸和高清晰度。

背景技术

近来，平板显示器因其外形薄、重量轻和功耗低已经广泛地被开发和 应用于各个领域。在平板显示器中，有机发光二极管(OLED)显示装置 (可以称作有机电致发光显示装置)在电子-空穴对的损耗期间发光。电 子-空穴对通过将电荷注入用于注入电子的阴极与用于注入空穴的阳极之 间的发光层形成。

OLED显示装置可以自发光并且包括柔性基板例如塑料。自发光 OLED显示装置可以具有优异的对比度和几微秒的响应时间。自发光 OLED显示装置的优点在于显示移动图像(包括以宽视角显示移动图像) 和在低温下稳定。自发光OLED显示装置可以通过5V至15V的直流 (DC)低电压驱动，并且，因此，OLED显示器中的驱动电路可以容易 地设计和制造。另外，因为仅需要沉积和封装步骤，所以OLED显示装 置的制造工艺可以是简单的。

另外，根据驱动方法，OLED显示器装置可以为无源矩阵型OLED 显示装置和有源矩阵型OLED显示装置。有源矩阵型显示装置具有低功 耗和高清晰度。另外，有源矩阵型显示装置的尺寸可以很大。

图1是根据相关技术的OLED显示装置的一个像素区的电路图。 OLED显示装置包括：栅极线GL、数据线DL、开关薄膜晶体管Ts、驱 动薄膜晶体管Td、存储电容器Cst和发光二极管De。栅极线GL和数据 线DL彼此相交以限定像素区P。开关薄膜晶体管Ts、驱动薄膜晶体管 Td、存储电容器Cst和发光二极管De形成在像素区P中。

更具体地，开关薄膜晶体管Ts的栅电极连接至栅极线GL并且开关 薄膜晶体管Ts的源电极连接至数据线DL。驱动薄膜晶体管Td的栅电极 连接至开关薄膜晶体管的Ts的漏电极，并且驱动薄膜晶体管Td的源电 极连接至高电位电压VDD。发光二极管De的阳极连接至驱动薄膜晶体管 Td的漏电极，并且发光二极管De的阴极连接至低电位电压VSS。存储 电容器Cst连接至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和漏电极。

通过经由栅极线GL施加的栅极信号可以操作OLED显示装置以接 通开关薄膜晶体管Ts。开关薄膜晶体管Ts可以被接通以通过开关薄膜晶 体管Ts将数据信号从数据线DL施加至驱动薄膜晶体管Td的栅电极和存 储电容器Cst的电极。当驱动薄膜晶体管Td通过数据信号被接通时，流 过发光二极管De的电流受到控制，从而显示图像。发光二极管De由于 从高电位电压VDD经由驱动薄膜晶体管Td提供的电流而发光。

即，流过发光二极管De的电流量与数据信号的幅度成比例，并且由 发光二极管De发射的光的强度与流过发光二极管De的电流量成比例。 因而，根据数据信号的幅度，像素区P显示不同的灰度级，并且因此， OLED显示装置显示图像。

在开关薄膜晶体管Ts关断时存储电容器Cst保持与帧的数据信号对 应的电荷。因此，即使开关薄膜晶体管Ts关断，存储电容器Cst也使得 流过发光二极管De的电流量能够恒定并且使得由发光二极管De显示的 灰度级能够保持直到下个帧为止。

根据发光方向，OLED显示装置包括底部发光型OLED显示装置和 顶部发光型OLED显示装置。在底部发光型OLED显示装置中，从发光 二极管发射的光通过阳极朝其中形成有薄膜晶体管的基板输出。在顶部发 光型OLED显示装置中，从发光二极管发射的光通过阴极朝与基板相反 的方向输出。

在OLED显示器装置中，薄膜晶体管一般形成在发光二极管下方， 并且在底部发光型OLED显示装置中，有效的发光区域受薄膜晶体管限 制。顶部发光型OLED显示装置与底部发光型OLED显示装置相比具有 较大的有效发光面积。因此，与底部发光型OLED显示装置相比，顶部 发光型OLED显示装置具有相对高的开口率。另外，顶部发光型OLED 显示装置可以具有大尺寸和高清晰度。