[发明专利]有机发光二极管显示装置及其制造方法在审
| 申请号: | 201510467998.0 | 申请日: | 2015-08-03 |
| 公开(公告)号: | CN105470278A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
| 发明(设计)人: | 白承汉;裵孝大;吴永茂;李贞源;宋宪一;余宗勋 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示装置,包括:
基板;
在所述基板上的薄膜晶体管;
第一电极,所述第一电极在所述薄膜晶体管上并且连接至所述薄膜晶 体管的漏电极;
辅助电极,所述辅助电极在与所述第一电极相同的层上;
堤坝层,所述堤坝层覆盖所述第一电极的边缘和所述辅助电极的边 缘,并且具有对应于所述第一电极的透过孔和对应于所述辅助电极的辅助 接触孔;
发光层,所述发光层在所述透过孔中的所述第一电极上;
残留层,所述残留层在所述辅助接触孔中的所述辅助电极上,其中所 述残留层的中心部分的厚度小于所述残留层的边缘部分的厚度,以及
第二电极,所述第二电极在所述发光层和所述残留层上。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述残留 层的边缘部分的厚度为所述残留层的中心部分的厚度的1.1倍以上。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述发光 层包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层, 以及
其中所述空穴注入层、所述空穴传输层、所述电子传输层和所述电子 注入层设置在所述堤坝层的上方。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置,其中所述发光 材料层形成在对应于所述堤坝层的所述透过孔的所述第一电极上。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中第一像素 区的所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、第一发光材料层、第二发 光材料层、电子传输层和电子注入层,以及
其中所述第二发光材料层、所述电子传输层和所述电子注入层设置在 所述堤坝层的上方。
6.根据权利要求5所述的有机发光二极管显示装置,其中相邻于所 述第一像素区的第二像素区的所述发光层包括空穴注入层、空穴传输层、 第二发光材料层、电子传输层和电子注入层。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第一 像素区的所述第一发光材料层为红色发光材料层或绿色发光材料层,所述 第二像素区的所述第二发光材料层为蓝色发光材料层。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,还包括:
第一虚拟电极,所述第一虚拟电极在与所述薄膜晶体管的栅电极相同 的层上;以及
第二虚拟电极,所述第二虚拟电极在与所述薄膜晶体管的所述漏电极 相同的层上,
其中所述第一虚拟电极和所述第二虚拟电极电连接至所述辅助电极。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置,其中所述第二 电极电连接至所述辅助电极的中心。
10.一种制造有机发光二极管显示装置的方法,所述方法包括:
在基板上形成薄膜晶体管;
在所述薄膜晶体管上形成钝化层;
在所述钝化层上形成第一电极和辅助电极,所述第一电极连接至所述 薄膜晶体管的漏电极,并且所述辅助电极与所述第一电极间隔开;
形成具有使所述第一电极露出的透过孔和使所述辅助电极露出的辅 助接触孔的堤坝层;
在包括所述堤坝层的基本上整个所述基板的上方依次形成空穴注入 材料层和空穴传输材料层;
在对应于所述透过孔的所述空穴传输材料层上形成发光材料层;
在包括所述发光材料层的基本上整个所述基板的上方依次形成电子 传输材料层和电子注入材料层;
利用有机溶剂溶解并且干燥与所述辅助接触孔对应的所述电子注入 材料层、所述电子传输材料层、所述空穴传输材料层和所述空穴注入材料 层,由此形成与所述发光材料层对应的空穴注入层、空穴传输层、电子传 输层和电子注入层,并且在所述辅助接触孔中的所述辅助电极上形成残留 层,其中所述残留层的中心部分的厚度小于所述残留层的边缘部分的厚 度,以及
在所述电子注入层和所述残留层上形成第二电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





