[发明专利]一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510379161.0 申请日: 2015-06-29
公开(公告)号: CN105044160B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 易建新;纪磊;张赫;陈冬冬;刘卫;姜羲 申请(专利权)人: 中国科学技术大学
主分类号: G01N27/04 分类号: G01N27/04
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 代理人: 何梅生
地址: 230026 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 锰酸镧 半导体 金属 氧化物 复合 材料 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于气体传感器领域,特别涉及的是锰酸镧与半导体金属氧化物进行复合的气敏材料制备方法。

背景技术

在现代社会的生活中,人们每天都会接触到各种各样的气体,如汽车尾气、家用燃气、工业废气等等。这些气体大多都对人们的身体健康不利,并且对环境也有很大的危害,所以如何检测这些气体的排放、泄露,对于人们的安全有着重要的意义。

气体传感器作为一种将外界气氛信息转换为特定可识别信号的探测元件,在气体检测方面受到了人们的广泛重视。在众多的气敏传感器材料中,半导体金属氧化物材料由于其具有成本低廉、来源广泛、制备工艺简单和结构可控等优点受到了人们的广泛关注。

对于半导体金属氧化物气体传感器的研究中,如何提高材料的气敏性能是一个相当重要的研究方向,因为气敏性能越高,其所能探测的气体极限浓度越低,相应的应用范围也就越广,是气体传感器相关性能参数中最为重要的参数之一。目前提高传感器气敏性能的方法主要集中在改变材料表面态、贵金属或其他半导体金属氧化物添加等领域,而对于其他材料的复合研究甚少。锰酸镧作为一种钙钛矿材料,其有着良好的催化性能,但在现有技术中尚未出现将其应用到气敏材料领域。

发明内容

本发明解决的问题在于提供了一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法。由该复合材料制备的气体传感器相比于纯半导体金属氧化物气体传感器有着更好的气敏性能。

本发明解决技术问题,采用如下技术方案:

本发明涉及一种锰酸镧(LaMnO3,以下简称LMO)/半导体金属氧化物复合气敏材料,其特点在于:所述复合气敏材料是由半导体金属氧化物和锰酸镧混合构成。其中,在所述复合气敏材料中锰酸镧占半导体金属氧化物质量的0.1~10%。半导体金属氧化物为SnO2、ZnO或二者按任意比例的混合物。

上述复合材料的制备方法包括以下步骤:

(1)制备LMO前驱液:

按化学计量比1:1称取适量La(NO3)3·6H2O和Mn(NO3)2·4H2O,溶解于蒸馏水中,再加入柠檬酸常温下搅拌24h,得到LMO前驱液;柠檬酸的摩尔量与La3+和Mn2+的摩尔量之和的比为0.25:1;

(2)制备复合粉体浆料:

预先购买或合成半导体金属氧化物粉体,按一定质量比,通过预先计算确定所需LMO前驱液体积与半导体金属氧化物粉体质量。将二者在研钵中混合均匀后,在500-900℃煅烧2~3h,即获得复合气敏材料粉体。

上述步骤中搅拌为磁力搅拌,转速为100-500rpm;

本发明提供了一种新的LMO/半导体金属氧化物复合气敏材料,LMO的复合量可以通过控制前驱液的添加量来控制。

本发明的有益效果体现在:

本发明的复合材料中的SnO2与ZnO可以为纳米颗粒、纳米纤维、纳米花、中空球等形貌,其与LMO复合后均能取得很好的气敏性能提升作用;相比于纯半导体金属氧化物,LMO/半导体金属氧化物复合气敏材料的气敏性能提升约有70%以上(气体传感器的气敏性能S定义为S=Ra/Rg,其中Ra为元件在空气中的电阻R-air,Rs为元件在测试气体中的电阻R-gas);其复合不仅对于H2的探测有着明显提升,对于乙醇气体的探测也有着同样的提升作用;LMO本身成本不高,有利于复合材料的大规模工业化使用。

附图说明

图1是实施例1所制备LMO/SnO2复合气敏材料粉体的XRD图;

图2是实施例1所制备LMO/SnO2气体传感器不同温度下灵敏度以及与纯SnO2气体传感器性能对比;

图3是实施例3所制备ZnO纳米花粉体的SEM图;

图4是实施例3所制备LMO/ZnO气体传感器不同温度下灵敏度以及与纯ZnO气体传感器性能对比;

图5是实施例4所制备SnO2纳米纤维SEM图;

图6是实施例4所制备LMO/SnO2纳米纤维气体传感器不同温度下灵敏度以及与纯SnO2纳米纤维气体传感器性能对比。

具体实施方式

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