[发明专利]一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料及其制备方法有效
| 申请号： | 201510379161.0 | 申请日： | 2015-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN105044160B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 易建新;纪磊;张赫;陈冬冬;刘卫;姜羲 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G01N27/04 | 分类号： | G01N27/04 |
| 代理公司： | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人： | 何梅生 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 锰酸镧 半导体 金属 氧化物 复合 材料 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料的制备方法，其特征在于，所述复合气敏材料是由半导体金属氧化物和锰酸镧混合构成，其制备方法为：
(1)制备锰酸镧前驱液
按化学计量比1:1称取La(NO3)3·6H2O和Mn(NO3)2·4H2O，溶解于蒸馏水中，再加入柠檬酸常温下搅拌，得到锰酸镧前驱液；所述柠檬酸的摩尔量与La3+和Mn2+的摩尔量之和的比为0.25:1；
(2)制备复合气敏材料粉体
将锰酸镧前驱液和半导体金属氧化物粉体混合均匀后，在500-900℃煅烧2～3h，即获得复合气敏材料粉体。
2.根据权利要求1所述的锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料的制备方法，其特征在于：在所述复合气敏材料中锰酸镧占半导体金属氧化物质量的0.1～10％。
3.根据权利要求1或2所述的锰酸镧/半导体金属氧化物复合气敏材料的制备方法，其特征在于：所述半导体金属氧化物为SnO2、ZnO或二者的混合物。
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