[发明专利]半导体封装结构有效
| 申请号： | 201510378948.5 | 申请日： | 2015-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN104966708B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 王昕华 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电性接点 第三层 第一层 半导体封装结构 矩阵方式 依序排列 | ||
1.一种半导体封装结构，包括：
本体，包覆一半导体芯片并具有一底面；
多个第一层电性接点，设置于该底面且电连接该半导体芯片；
多个第二层电性接点，设置于该底面且电连接该半导体芯片；
多个第三层电性接点，设置于该底面且电连接该半导体芯片；
多个第四层电性接点，设置于该底面且电连接该半导体芯片，该些第一层、第二层、第三层以及第四层电性接点以矩阵方式由外而内依序排列在该底面上；
其中，相邻的该些第一层电性接点之间具有两种不同的间距，且相邻的该些第三层电性接点之间也具有该两种不同的间距，其中该两种不同的间距包括一第一间距以及一第二间距，且该第二间距大于该第一间距，该第一间距与该第二间距以间隔交错方式排列。
2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该第二间距为该第一间距的两倍。
3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该第一间距为相邻的该些第一层电性接点之间的最小间距。
4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该第一间距为相邻的该些第三层电性接点之间的最小间距。
5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该些第一层电性接点包含具有该第一间距的一第一对电性接点、具有该第一间距的一第二对电性接点以及具有该第一间距的一第三对电性接点，该第一对、第二对电性接点之间具有该第二间距，该第二对、第三对电性接点之间具有该第二间距，且该第二对电性接点位于该第一、第三对电性接点之间。
6.如权利要求5所述的半导体封装结构，其中，该些第三层电性接点包含具有该第一间距的一第四对电性接点、具有该第一间距的一第五对电性接点，以及具有该第一间距的一第六对电性接点，该第四对、第五对电性接点之间具有该第二间距，该第五对、第六对电性接点之间具有该第二间距，且该第五对电性接点位于该第四、第六对电性接点之间。
7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该本体还具有一封装基板，该封装基板具有一第一电路层以及一第二电路层。
8.如权利要求7所述的半导体封装结构，其中，该第一电路层包括多个导线以及多个导电部，该些导电部分别连接该些导线以及至少部分的该些第一层、第二层电性接点。
9.如权利要求7所述的半导体封装结构，其中，该第二电路层包括多个导线以及多个导电部，该些导电部分别连接该些导线以及至少部分的该些第三层、第四层电性接点。
10.如权利要求1所述的半导体封装结构，其中，该半导体封装结构为一球栅阵列式封装结构。
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