[发明专利]一种电路板的制作方法有效

专利信息
申请号: 201510276159.0 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN104902690B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 唐政和;彭胜峰;彭承刚 申请(专利权)人: 广州杰赛科技股份有限公司
主分类号: H05K3/10 分类号: H05K3/10;H05K3/40;H05K1/16
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司44202 代理人: 麦小婵,郝传鑫
地址: 510310 广东省广*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电路板 制作方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及电路板制造工艺技术领域,尤其涉及一种电路板的制作方法。

背景技术

在制作埋入电阻的电路板时,需要使用专用的电阻基板。电阻基板是在常规基材(如环氧、PTFE、碳氢化合物等)和铜层之间夹有极薄电阻层的基板,其中,电阻层一般为镍磷合金层。在蚀刻出导电的铜层后,再蚀刻掉多余的电阻层,保留下的电阻层即为电路板的埋入电阻。

目前,制作埋入电阻的电路板的常规做法是化学蚀刻法,其具体流程为:蚀刻出铜层线路图形→蚀刻掉裸露的电阻层→蚀刻掉所需电阻图形上覆盖的铜层→获得电路板。

但是,上述化学蚀刻法需用到多次图形转移,而多次图形转移过程中多次采用化学药水腐蚀使得电阻图形的偏差无法避免,即使采用最严格的品质管控,电阻图形的宽度偏差也在±0.5mil(±13um)以上。而电路板埋入电阻的阻值精度与电阻图形的宽度和长度有关,因此,使用该方法导致埋入电阻的阻值精度不高。而且,在蚀刻掉所需电阻图形上覆盖的铜层时,需要对铜层上的线路图形进行第二次对位蚀刻,容易导致线路图形变形,影响高频信号的传递。

发明内容

本发明实施例提出一种电路板的制作方法,能够提高电路板中埋入电阻的阻值精度,且避免导电线路图形因多次蚀刻导致的变形。

本发明实施例提供一种电路板的制作方法,包括:

对电阻基板的铜层进行蚀刻,获得导电线路图形,并裸露出电阻层;所述电阻基板包括基材、位于所述基材上的电阻层和位于所述电阻层上的铜层;

在裸露的电阻层上切割出电阻图形,并使所述电阻图形与所述导电线路图形相连;

去除所述电阻图形以外的裸露电阻层,获得电路板。

进一步地,所述对电阻基板的铜层进行蚀刻,获得导电线路图形,并裸露出电阻层,具体包括:

在所述电阻基板的铜层表面贴上感光干膜;

对所述感光干膜进行曝光,显影出导电线路图形;

对未显影的铜层进行蚀刻,获得所述导电线路图形,并裸露出电阻层;

褪去所述导电线路图形上的感光干膜。

进一步地,所述导电线路图形包括互相平行的第一线路图形和第二线路图形;

所述在裸露的电阻层上切割出电阻图形,并使所述电阻图形与所述导电线路图形相连,具体包括:

在裸露的电阻层上切割出电阻图形,并使所述电阻图形与所述第一线路图形和所述第二线路图形相连。

进一步地,所述在裸露的电阻层上切割出电阻图形,并使所述电阻图形与所述第一线路图形和所述第二线路图形相连,具体包括:

测量所述第一线路图形和所述第二线路图形之间的距离,作为电阻图形的长度;

根据所述电阻图形的长度、预设的阻值和所述电阻层的方阻,计算获得所述电阻图形的宽度;

根据预设的电阻位置,采用激光在所述裸露的电阻层上切割出两条互相平行的沟槽,所述两条沟槽、所述第一线路图形和所述第二线路图形围成的电阻层图形即为所述电阻图形;所述两条沟槽之间的距离为所述电阻图形的宽度;所述两条沟槽均与所述第一线路图形和所述第二线路图形垂直相连。

优选地,所述两条沟槽的槽宽均大于或等于10mil。

进一步地,在所述去除所述电阻图形以外的裸露电阻层,获得电路板之前,还包括:

采用丝网漏印工艺,在所述电阻图形上涂覆阻焊保护层。

优选地,所述阻焊保护层为油墨层。

实施本发明实施例,具有如下有益效果:

本发明实施例提供的电路板的制作方法,能够对电阻基板的铜层进行蚀刻,裸露出电阻层,并在电阻层上直接切割出电阻图形,避免多次图形转移和蚀刻,从而提高电阻图形的精度,而且,铜层蚀刻获得的导电线路图形一次成型,避免导电线路图形多次蚀刻导致的变形;在切割电阻图形时,先蚀刻出电阻图形的长度(即第一线路图形和第二线路图形之间的距离),再根据电阻图形的长度精细调整其宽度,提高电阻图形的精度,进而减小电阻阻值的误差;在电阻图形上涂覆阻焊油墨,保护电阻图形在后继的加工中不被损伤或腐蚀。

附图说明

图1是本发明提供的电路板的制作方法的一个实施例的流程示意图;

图2是本发明提供的电路板的制作方法的步骤一的一个示意图;

图3是本发明提供的电路板的制作方法的步骤一的另一个示意图;

图4是本发明提供的电路板的制作方法的步骤二的示意图;

图5是本发明提供的电路板的制作方法的步骤三的示意图;

图6是本发明提供的电路板的制作方法的步骤四的示意图;

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