[发明专利]光掩模及其制造方法

权利要求书

1.一种形成光掩模的方法，包括：

接收衬底，所述衬底具有位于所述衬底上的第一衰减层、位于所述第一衰减层上的第二衰减层和位于所述第二衰减层上的第三衰减层；

形成第一光刻胶层，所述光刻胶层具有位于所述第三衰减层上的第一图案；

执行第一蚀刻，以图案化所述第三衰减层和所述第二衰减层，其中，所述第一蚀刻停止在所述第一衰减层处并且暴露所述第一衰减层的一部分；

去除所述第一光刻胶层；

形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有暴露所述第三衰减层的一部分的第二图案；

执行第二蚀刻，以去除所述第一衰减层的所述一部分和所述第三衰减层的所述一部分；以及

去除所述第二光刻胶层；

其中，在去除所述第二光刻胶层之后，所述第一衰减层的第一部分、所述第二衰减层的第一部分和所述第三衰减层堆叠在所述衬底上以作为二元强度掩模部分。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

形成第三光刻胶层，所述第三光刻胶层具有暴露所述第二衰减层的一部分和所述衬底的一部分的第三图案；

执行第三蚀刻，以去除所述第二衰减层的所述一部分和所述衬底的所述一部分，其中，当去除所述第二衰减层的所述一部分时，暴露所述第一衰减层的一部分，并且形成所述衬底的沟槽；

去除所述第一衰减层的所述暴露部分；以及

去除所述第三光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的方法，在去除所述第二光刻胶层之前，还包括：

执行第三蚀刻以去除所述第二衰减层的一部分并且在所述衬底上形成沟槽，其中，所述第三蚀刻停止在所述第一衰减层处并且暴露所述第一衰减层的另一部分；以及

去除所述第一衰减层的所述另一部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是透明的并且包括石英、硅、碳化硅、氧化硅-氧化钛合金或它们的组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一衰减层和所述第三衰减层包括铬。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一衰减层包括氧化铬、氮化铬、氮氧化铬或它们的组合。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一衰减层的膜厚度在3nm至80nm的范围内，而所述第三衰减层的膜厚度在3nm至50nm的范围内。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二衰减层包括硅化钼(MoSi)。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二衰减层的膜厚度在20nm至100nm的范围内。

10.一种光掩模，包括：

衬底；

图案化的第一衰减层，设置在所述衬底上；

图案化的第二衰减层，设置在所述图案化的第一衰减层上；以及

图案化的第三衰减层，设置在所述图案化的第二衰减层上，

其中，所述图案化的第一衰减层的第一部分、所述图案化的第二衰减层的第一部分和所述图案化的第三衰减层堆叠在所述衬底上以作为二元强度掩模部分。

11.根据权利要求10所述的光掩模，其中，所述衬底具有至少一个沟槽，所述沟槽未被所述图案化的第一衰减层覆盖。

12.根据权利要求11所述的光掩模，其中，所述图案化的第一衰减层的第二部分和所述图案化的第二衰减层的第二部分堆叠在所述衬底上以作为衰减相移掩模部分。

13.根据权利要求12所述的光掩模，其中，所述衬底是透明的并且包括石英、硅、碳化硅、氟化钙、氧化硅-氧化钛合金或它们的组合。

14.根据权利要求10所述的光掩模，其中，所述第一衰减层和所述第三衰减层包括铬。

15.根据权利要求10所述的光掩模，其中，所述第一衰减层包括氧化铬、氮化铬、氮氧化铬或它们的组合。

16.根据权利要求15所述的光掩模，其中，所述第一衰减层的膜厚度在3nm至80nm的范围内，而所述第三衰减层的膜厚度在3nm至50nm的范围内。

17.根据权利要求10所述的光掩模，其中，所述第二衰减层包括硅化钼(MoSi)。