[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
| 申请号: | 201510106366.1 | 申请日: | 2015-03-11 |
| 公开(公告)号: | CN104916570B | 公开(公告)日: | 2018-03-02 |
| 发明(设计)人: | 佐野洋;角间央章 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 宋晓宝,向勇 |
| 地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,
具有:
基板保持部,其用于保持基板,
杯部,其将所述基板保持部的周围包围,
喷嘴,其用于喷出处理液,
驱动部,其使所述喷嘴在所述基板保持部所保持的基板的上方的处理位置与比所述杯部更靠外侧的待机位置之间进行移动,
拍摄部,其对包含所述处理位置处的所述喷嘴的前端的拍摄区域进行拍摄,
判定部,其将在移动到所述处理位置的所述喷嘴喷出处理液之前由所述拍摄部对所述拍摄区域进行拍摄而获取的第一基准图像与之后对所述拍摄区域进行拍摄而获取的监视对象图像进行比较,来判定从所述喷嘴喷出处理液的情况;
所述拍摄部每当在所述基板保持部保持成为新的处理对象的基板,并且所述喷嘴移动到所述处理位置时,获取第一基准图像。
2.如权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
还具有存储部,该存储部用于存储判定区域,该判定区域是在由所述拍摄部对所述拍摄区域进行拍摄而获取的图像之中的包含从所述喷嘴的前端起至所述基板保持部所保持的基板为止的一部分的区域,
若第一基准图像以及监视对象图像的在所述判定区域的差分为规定的阈值以上,所述判定部就判定从所述喷嘴正在喷出处理液。
3.如权利要求2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述拍摄部从所述基板保持部保持着成为新的处理对象的基板并且所述喷嘴从所述待机位置向着所述处理位置开始移动的时刻起,以规定间隔连续对所述拍摄区域进行拍摄,
若由所述拍摄部对所述拍摄区域进行连续拍摄而获取的连续的图像的差分为一定值以下,所述判定部就判定所述喷嘴停止了移动。
4.如权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部将由所述拍摄部连续获取的图像之中的在判定所述喷嘴停止了移动的时刻的图像作为第一基准图像。
5.如权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部将在判定所述喷嘴停止移动之后由所述拍摄部连续获取的多个监视对象图像与第一基准图像按顺序进行比较,来判定从所述喷嘴喷出处理液的情况。
6.如权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部以所述判定区域的面积进行归一化,来进行第一基准图像与监视对象图像的比较。
7.如权利要求 6所述的基板处理装置,其特征在于,
若第一基准图像与规定数量的监视对象图像之间的差分的移动平均值为规定的阈值以上,所述判定部就判定从所述喷嘴正在喷出处理液。
8.如权利要求4~7中任一项所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部将在所述喷嘴准确地位于所述处理位置时由所述拍摄部对所述拍摄区域进行拍摄而获取的第二基准图像与第一基准图像进行比较,来判定所述喷嘴在所述处理位置处的位置异常。
9.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
若第二基准图像以及第一基准图像中的所述喷嘴的坐标的差为规定的阈值以上,所述判定部就判定所述喷嘴的位置异常。
10.如权利要求8所述的基板处理装置,其特征在于,
所述判定部根据第二基准图像与第一基准图像的比较结果,来使第一基准图像以及监视对象图像中的所述判定区域的位置移动。
11.一种基板处理方法,其特征在于,
具有:
保持工序,将成为新的处理对象的基板保持在基板保持部上,
喷嘴移动工序,在成为新的处理对象的基板被保持在所述基板保持部上之后,使用于喷出处理液的喷嘴从比包围所述基板保持部的周围的杯部更靠外侧的待机位置向着所述基板保持部所保持的基板的上方的处理位置移动,
拍摄工序,通过拍摄部对包含所述处理位置处的所述喷嘴的前端的拍摄区域进行拍摄,
喷出判定工序,将在移动到所述处理位置的所述喷嘴喷出处理液之前由所述拍摄部对所述拍摄区域进行拍摄而获取的第一基准图像与之后对所述拍摄区域进行拍摄而获取的监视对象图像进行比较,来判定从所述喷嘴喷出处理液的情况;
在所述拍摄工序中,每当在所述基板保持部保持成为新的处理对象的基板,并且所述喷嘴移动到所述处理位置时,获取第一基准图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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