[发明专利]制造半导体基底的方法和制造发光装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体基底的方法，所述方法包括：

在基底上形成第一半导体层；

在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；

在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；

在形成第二半导体层之后通过加热基底使第一半导体层中的孔隙生长。

2.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层包括位于第一半导体层上的彼此分隔开恒定距离并且具有恒定宽度的多个条纹状部分，第二半导体层覆盖金属材料层。

3.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层包括氧化物层，氧化物层形成用于第一半导体层的掩模。

4.如权利要求3所述的方法，其中，金属材料层以使多个孔通过金属材料层连接到第一半导体层和第二半导体层的厚度形成。

5.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层由具有比形成第二半导体层的加热温度高的熔点的金属材料形成。

6.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层包括形成用于第一半导体层的掩模的氧化物层，并且形成穿过金属材料层的多个孔，其中，第一半导体层和第二半导体层通过金属材料层结合，

其中，利用金属有机化学气相沉积技术形成第二半导体层，

其中，形成在金属材料层的一部分的下方的第一半导体层与金属材料层和氧反应，并且第一半导体层通过所述多个孔蒸发而形成孔隙。

7.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层为钽层并且具有在5nm至100nm的范围内的厚度，钽层的表面在形成在第一半导体层上之后被钽氧化物覆盖。

8.如权利要求1所述的方法，其中，基底为蓝宝石基底或硅基底。

9.如权利要求1所述的方法，其中，将基底加热到900℃～1100℃的范围内的温度。

10.如权利要求1所述的方法，其中，金属材料层由选自于Ta、Ni、Cr、Pt、Mo及它们的合金中的一种形成。

11.一种制造发光装置的方法，所述方法包括：

在第一基底上形成第一半导体层；

在第一半导体层上以预定图案形成金属材料层；

在第一半导体层和金属材料层上形成第二半导体层，同时在第一半导体层的位于金属材料层下方的部分中形成孔隙；

在第二半导体层上形成第一化合物半导体层；

在第一化合物半导体层上形成活性层；

在活性层上形成第二化合物半导体层；

将第二基底附于第二化合物半导体层；

在附着第二基底之后通过加热第一基底使第一半导体层中的孔隙生长。

12.如权利要求11所述的方法，其中，金属材料层包括位于第一半导体层上的彼此分隔开恒定距离并且具有恒定宽度的多个条纹状部分，第二半导体层覆盖金属材料层。

13.如权利要求11所述的方法，其中，金属材料层包括氧化物层，氧化物层形成用于第一半导体层的掩模。

14.如权利要求13所述的方法，其中，金属材料层以使多个孔通过金属材料层连接到第一半导体层和第二半导体层的厚度形成。

15.如权利要求11所述的方法，其中，金属材料层由具有比形成第二半导体层的加热温度高的熔点的金属材料形成。

16.如权利要求11所述的方法，其中，金属材料层包括形成用于第一半导体层的掩模的氧化物层，并且形成穿过金属材料层的多个孔，其中，第一半导体层和第二半导体层通过金属材料层结合，

其中，利用金属有机化学气相沉积技术形成第二半导体层，

其中，形成在金属材料层的一部分的下方的第一半导体层与金属材料层和氧反应，并且第一半导体层通过所述多个孔蒸发而形成孔隙。

17.如权利要求11所述的方法，其中，金属材料层为钽层并且具有在5nm至100nm的范围内的厚度，钽层的表面在形成在第一半导体层上之后被钽氧化物覆盖。

18.如权利要求11所述的方法，其中，第一基底为蓝宝石基底或硅基底。

19.如权利要求11所述的方法，其中，将第一基底加热到900℃～1100℃的范围内的温度。

20.如权利要求11所述的方法，其中，在将第二基底附于第二化合物半导体层的同时加热第一基底。