[发明专利]半导体阵列探测器及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体阵列探测器的封装技术领域，具体涉及一种半导体阵列探测器及其封装方法。

背景技术

半导体探测器是用于测量辐射剂量的探测器，半导体探测器目前多采用CaF₂(Eu)跟光电二极管的简单贴合工艺，铕激活的氟化钙晶体-CaF₂(Eu)，化学性稳定，不易断裂。目前通过简单封装的CaF₂(Eu)、光电二极管的半导体探测器普遍存在使用寿命短、性能不稳定，而且非全密封的工艺方式无法彻底去除可见光漏光干扰的问题。目前国家对此类项目的研究开发也相当重视，如国家重大科学仪器设备开发专项“新型电离辐射检测仪器和关键部件开发及应用”(项目编号：2013YQ090811)资金资助。

基于CaF₂(Eu)和光电二极管的半导体探测器广泛的用于辐射剂量探测。目前半导体探测器的封装过于简单，只是将CaF₂(Eu)片贴在封装好的光电二极管的表面，使用的过程中进行包裹减少可见光的干扰。

这样的非全密封的封装并不能杜绝CaF₂(Eu)片的轻微潮解问题以及使用过程中可见光的干扰。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，解决现有半导体探测器易受可见光干扰以及CaF₂(Eu)片的轻微潮解问题。提供一种半导体阵列探测器及其封装方法。

为解决上述的技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种半导体阵列探测器的封装方法，所的封装方法包括以下步骤：

步骤1，将光电二极管芯片贴入陶瓷基座的凹槽内，并且将所述光电二极管的引脚焊接与所述陶瓷基座的预设引脚焊接；

步骤2，将CaF₂(Eu)片通过透明的粘结介质粘结在光电二极管的芯片上表面；

步骤3，用黑色绝缘电子灌封胶浇注陶瓷基座的凹槽，使其密封。

更进一步的技术方案是所述的步骤3之后还包括：待所述黑色绝缘电子灌封胶固化后，对所述半导体阵列探测器的基本通信情况进行测试。

更进一步的技术方案是提供一种半导体阵列探测器，包括光电二极管芯片和CaF₂(Eu)片，所述的半导体阵列探测器还包括陶瓷基座，所述陶瓷基座设置有凹槽，所述陶瓷基座两侧设置有预设引脚；所述光电二极管芯片贴合在所述凹槽底部，所述光电二极管芯片的引脚与所述预设引脚焊接；所述CaF₂(Eu)片通过透明粘接介质粘接在所述光电二极管上表面；所述陶瓷基座的凹槽通过黑色绝缘电子灌封胶密封。

更进一步的技术方案是陶瓷基座为方形结构。

更进一步的技术方案是陶瓷基座的预设引脚设置有对数个，所述对数个预设引脚对称设置在所述陶瓷基座两侧。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明可以将CaF₂(Eu)、光电二极管芯片完全密封在陶瓷基座上，根本上解决了CaF₂(Eu)的轻微潮解问题和使用过程可能存在的可见光漏光干扰的问题。能很好的防止CaF₂(Eu)的轻微潮解，抗干扰能力强，并且有更长的使用寿命和稳定的性能表现。

附图说明

图1为本发明一个实施例的半导体阵列探测器封装过程结构变化示意图。

图2为本发明一个实施例中贴有光电二极管芯片的陶瓷基座结构示意图。

图3为本发明一个实施例中贴有光电二极管芯片和CaF₂(Eu)片的陶瓷基座结构示意图。

图4为本发明一个实施例中封装后的半导体阵列探测器结构示意图。

具体实施方式

本说明书中公开的所有特征，或公开的所有方法或过程中的步骤，除了互相排斥的特征和/或步骤以外，均可以以任何方式组合。

本说明书(包括任何附加权利要求、摘要和附图)中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

下面结合附图及实施例对本发明的具体实施方式进行详细描述。

实施例1

如图1至4所示，根据本发明的一个实施例，本实施例半导体阵列探测器的封装方法，所的封装方法包括以下步骤：