[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在衬底上形成的栅堆叠；

在衬底中相对于栅堆叠处于相对侧的源区和漏区；

自对准于栅堆叠下方、位于源区和漏区之间的超陡后退阱；以及

自对准于栅堆叠下方、嵌于超陡后退阱中的补偿区，该补偿区的导 电类型与超陡后退阱的导电类型相反。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于衬底上栅堆叠的 侧壁上的侧墙。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述侧墙是双层结构。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述栅堆叠包括设置 于衬底上的氮氧化物栅介质层以及设置于栅介质层上的多晶硅栅导体 层。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源区和漏区分别 包括延伸区，且所述超陡后退阱的边缘与所述延伸区的边缘大致对准。

6.一种制造半导体器件的方法，包括：

在衬底上形成牺牲栅堆叠，其中，牺牲栅堆叠包括栅介质层和牺牲 栅导体层；

在牺牲栅堆叠的侧壁上形成侧墙，并以牺牲栅堆叠和侧墙为掩模， 进行针对源/漏的第一离子注入；

去除牺牲栅堆叠中至少牺牲栅导体层，以在侧墙内侧留下开口；

经开口向衬底中进行第二离子注入，以形成自对准于栅堆叠下方的 第一掺杂区；

在开口的侧壁上形成一材料层，并经侧壁上形成有材料层的开口进 行与第二离子注入类型相反的第三离子注入，以形成自对准于栅堆叠下 方的第二掺杂区；以及

进行退火，形成源/漏区、超陡后退阱以及嵌于超陡后退阱中的补偿 区。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，形成材料层包括：在衬底上 形成一连续延伸的材料层。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，形成材料层包括：在开口的 侧壁上形成侧墙形式的材料层。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，形成侧墙和进行针对源/漏 的第一离子注入包括：

在牺牲栅堆叠的侧壁上形成第一侧墙；

以牺牲栅堆叠和第一侧墙为掩模，进行延伸区注入；

在第一侧墙的侧壁上形成第二侧墙；

以牺牲栅堆叠以及第一和第二侧墙为掩模，进行源/漏区注入。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，栅介质层包括氮氧化物， 该方法还包括：

在开口内形成多晶硅作为栅导体层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括：通过离子注入，对多晶 硅进行掺杂。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述材料层包括多晶硅或 非晶硅。