[发明专利]快闪存储器的制作方法

权利要求书

1.一种快闪存储器的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上依次形成耦合氧化层、浮栅多晶硅层以及ONO隔离层；

在所述ONO隔离层上形成控制多晶硅层；

在所述控制多晶硅层上方形成氮化硅层；

采用同一刻蚀工艺在所述氮化硅层中同时形成第一开口和第二开口，所述第一开口和第二开口露出下方的控制多晶硅层，所述第一开口用于形成存储单元结构，所述第二开口对应于控制多晶硅层的电连接的接触窗口的位置设置，所述第一开口的宽度为所述第二开口的宽度的1.5倍以上；

依次形成第一氧化硅层和刻蚀停止层，所述第一氧化硅层和刻蚀停止层覆盖所述第一开口和第二开口的侧壁和底部；

进行高温沉积工艺，在所述刻蚀停止层上形成第二氧化硅层，并进行高温回流工艺，利用所述第二氧化硅层的高温流动性将所述第二开口填满；

将第二开口以外的刻蚀停止层上方的第二氧化硅层去除；

进行刻蚀工艺，将所述刻蚀停止层和位于氮化硅层上方以及第一开口底部的第一氧化硅层去除，位于第一开口侧壁的第一氧化硅层被保留，位于第二开口内的第二氧化硅层、刻蚀停止层和第一氧化硅层作为保护层被保留，该保护层用于保护第二开口相关的控制多晶硅层。

2.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第二开口的深度宽度比是第一开口的深度宽度比的1.5倍以上。

3.如权利要求2所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述氮化硅层的厚度范围为3700-4700埃，所述第一开口的深度宽度比范围为1.1-1.6，所述第二开口的深度宽度比不小于2。

4.如权利要求2所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一开口的宽度范围为3000-3600埃，所述第一开口的深度宽度比范围为1.2-1.4，所述第二开口的宽度范围为1400-1700埃，所述第二开口的深度宽度比范围为2.1-2.3。

5.如权利要求2所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一开口的宽度范围为3100-3500埃，所述第二开口的宽度范围为1400-1600埃。

6.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述刻蚀停止层的材质为氮化硅，所述刻蚀停止层的厚度范围为50-150埃。

7.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第一氧化硅层的厚度范围为1000-2000埃，所述第一氧化硅层利用低压化学气相沉积工艺制作。

8.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述高温回流工艺的温度范围为750-1000摄氏度。

9.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述高温沉积工艺的温度范围为750-1000摄氏度。

10.如权利要求1所述的快闪存储器的制作方法，其特征在于，所述第二氧化硅层的材质为掺磷氧化硅或磷硅玻璃。