[发明专利]无源元件结构及其制作方法在审
申请号: | 201510035047.6 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN104810362A | 公开(公告)日: | 2015-07-29 |
发明(设计)人: | 赖俊谚;胡毓文;楼百尧;林佳升;何彦仕;关欣 | 申请(专利权)人: | 精材科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/01 | 分类号: | H01L27/01;H01L23/488;H01L21/02;H01L21/60 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾桃园市中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 无源 元件 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种无源元件结构,其特征在于,包含:
一基板,具有多个焊垫;
一保护层,位于该基板与所述焊垫上,该保护层具有多个保护层开口,所述保护层开口分别与所述焊垫位置对应;
一图案化的导电层,位于所述焊垫与该保护层紧邻所述保护层开口的表面上;
多个铜块,位于该导电层上;
一扩散阻障层,位于所述铜块的至少一个上;以及
一抗氧化层,覆盖于该扩散阻障层。
2.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,还包含:
一阻隔层,位于该保护层与所述铜块上,且该阻隔层具有一阻隔层开口,该阻隔层开口与该抗氧化层位置对应。
3.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,还包含:
一强化层,位于该扩散阻障层与该抗氧化层之间。
4.根据权利要求3所述的无源元件结构,其特征在于,该强化层的材质包含钯。
5.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,该扩散阻障层的材质包含镍。
6.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,该抗氧化层的材质包含金。
7.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,该抗氧化层的厚度介于0.01μm至0.1μm。
8.根据权利要求1所述的无源元件结构,其特征在于,还包含:
一导电结构,电性连接于该抗氧化层。
9.根据权利要求8所述的无源元件结构,其特征在于,该导电结构包含锡球或导线。
10.一种无源元件结构的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:
a)提供具有多个焊垫的一基板;
b)于该基板上形成一保护层,且所述焊垫分别由所述保护层的多个保护层开口露出;
c)于所述焊垫与该保护层上形成一导电层;
d)于该导电层上形成一图案化的光阻层,且紧邻所述保护层开口的该导电层由该光阻层的多个光阻层开口露出;
e)于所述光阻层开口中的该导电层上分别电镀多个铜块;
f)去除该光阻层与未被所述铜块覆盖的该导电层;
g)于所述铜块与该保护层上形成一阻隔层,其中所述铜块的至少一个由该阻隔层的一阻隔层开口露出;以及
h)于露出该阻隔层开口的该铜块上依序化学镀一扩散阻障层与一抗氧化层。
11.根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法,其特征在于,该步骤h)还包含:
于该扩散阻障层上化学镀一强化层。
12.根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法,其特征在于,该步骤f)包含:
蚀刻未被所述铜块覆盖的该导电层。
13.根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法,其特征在于,该阻隔层的材质为防焊绿漆。
14.根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法,其特征在于,该阻隔层的材质为光阻,该无源元件结构的制作方法还包含:
去除该阻隔层。
15.根据权利要求10所述的无源元件结构的制作方法,其特征在于,该步骤b)包含:
图案化该保护层,使该保护层具有所述保护层开口。
16.一种无源元件结构,其特征在于,包含:
一基板,具有多个焊垫;
一保护层,位于该基板与所述焊垫上,该保护层具有多个保护层开口,所述保护层开口分别与所述焊垫位置对应;
一图案化的导电层,位于所述焊垫与该保护层紧邻所述保护层开口的表面上;
多个铜块,位于该导电层上;以及
一抗氧化层,位于所述铜块的至少一个上。
17.根据权利要求16所述的无源元件结构,其特征在于,该抗氧化层的材质包含金。
18.根据权利要求16所述的无源元件结构,其特征在于,还包含:
一导电结构,电性连接于该抗氧化层。
19.根据权利要求18所述的无源元件结构,其特征在于,该导电结构包含锡球。
20.一种无源元件结构的制作方法,其特征在于,包含下列步骤:
提供具有多个焊垫的一基板;
于该基板上形成一保护层,且所述焊垫分别由所述保护层的多个保护层开口露出;
于所述焊垫与该保护层上形成一导电层;
于该导电层上形成一图案化的光阻层,且紧邻所述保护层开口的该导电层由该光阻层的多个光阻层开口露出;
于所述光阻层开口中的该导电层上分别电镀多个铜块;
去除该光阻层与未被所述铜块覆盖的该导电层;以及
于所述铜块的至少一个上化学镀一抗氧化层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的