[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

一种半导体器件可以包括：层间绝缘图案和局部字线，其被交替地层叠以形成阶梯结构；以及第一绝缘层，其形成在阶梯结构的表面上。半导体器件还可以包括：字线选择栅，其沿着第一绝缘层的表面形成；以及有源图案，其穿通字线选择栅和第一绝缘层，并且分别与局部字线连接。

相关申请的交叉引用

本申请要求2014年1月23日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2014-0008260的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明总体而言涉及一种半导体器件及其制造方法，且更具体而言，涉及一种存储器件及其制造方法。

背景技术

半导体器件包括能够储存数据的存储器件。存储器件可以包括存储块、字线解码器和局部字线选择单元。

存储块中的每个包括存储串。存储串中的每个包括串联的存储器单元。存储器单元的栅极与局部字线连接。

字线解码器响应于行地址信号来将操作电压施加至全局字线。

局部字线选择单元分别与存储块连接。局部字线选择单元中的每个将响应于区块选择信号施加至全局字线的操作电压传送至存储块的局部字线。

发明内容

已经开发了用于改善前述存储器件的集成的各种技术。例如，已经提出了一种通过将配置每个存储串的存储器单元以三维的方式布置的方法。在局部字线选择单元的导线根据三维存储串结构来配置的情况下，包括局部字线选择单元的外围电路的导线的布局变得复杂，使得增加了三维半导体器件的制造工艺的难度水平。

本发明的一个实施例可以提供一种半导体器件，半导体器件包括：层间绝缘图案和局部字线，其交替地层叠以形成阶梯结构；以及第一绝缘层，其形成在阶梯结构的表面上。半导体器件还可以包括：字线选择栅，其沿着第一绝缘层的表面形成；以及有源图案，其穿通字线选择栅和第一绝缘层，并且分别与局部字线连接。

本发明的一个实施例可以提供一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：交替地层叠第一材料层和第二材料层；以及通过将第一材料层和第二材料层图案化来形成阶梯结构。制造半导体器件的方法还可以包括：沿着阶梯结构的表面形成第一绝缘层；沿着第一绝缘层的表面形成第三材料层；以及形成穿通第三材料层和第一绝缘层以分别暴露出第二材料层的有源孔。此外，制造半导体器件的方法可以包括：在有源孔的内部形成分别与第二材料层连接的有源图案。

本发明的一个实施例中，一种半导体器件可以包括：第一材料层和第二材料层，其被交替地层叠以形成阶梯结构；以及第一绝缘层，其形成在阶梯结构的表面上。半导体器件还可以包括：第三材料层，其沿着第一绝缘层的表面形成；以及有源图案，其分别穿通第三材料层和第一绝缘层，以与第二材料层连接。

附图说明

图1是图示根据一个实施例的半导体器件的表示的立体图。

图2是沿着图1中的I-I’线截取的半导体器件的传输晶体管的表示的截面图。

图3A至图6是图示根据一个实施例的半导体器件的制造方法的表示的图。

图7和图8是图示根据一个实施例的半导体器件的单元结构的表示的立体图。

图9是图示根据一个实施例中的存储系统的表示的配置图。

图10是图示根据一个实施例中的计算系统的表示的配置图。

具体实施方式

在下文中，将参照附图详细地描述本发明的实施例。然而，本发明不局限于以下公开的实施例，以及可以采用各种形式来实施，且本发明的范围不局限于以下实施例。确切地说，提供实施例以更真诚且充分地公开本发明，并将本发明的精神完全地传送至本领域所属的技术领域的技术人员，以及本发明的范围应当通过本发明的权利要求来理解。