[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

层间绝缘图案和局部字线，其被交替地层叠以形成阶梯结构；

第一绝缘层，其形成在所述阶梯结构的表面上；

字线选择栅，其沿着所述第一绝缘层的表面形成，其中所述字线选择栅与所述阶梯结构重叠；以及

有源图案，其分别穿通所述字线选择栅和所述第一绝缘层并且与所述局部字线连接。

2.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

栅绝缘层，其分别包围所述有源图案并且接触所述有源图案的侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述字线选择栅包围所述有源图案。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

区块字线；以及

第一接触插塞，其将所述区块字线与所述字线选择栅连接。

5.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

全局字线，其分别与所述有源图案耦接。

6.如权利要求5所述的半导体器件，还包括：

第二接触插塞，其形成在所述有源图案与所述全局字线之间。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二接触插塞具有不同的长度。

8.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

第二绝缘层，其被配置成覆盖所述层间绝缘图案、所述局部字线、所述绝缘层、所述字线选择栅以及所述有源图案；

第一接触插塞，其穿通所述第二绝缘层，并且与所述字线选择栅连接；

第二接触插塞，其穿通所述第二绝缘层，并且与所述有源图案连接；

区块字线，其形成在所述第二绝缘层上，并且与所述第一接触插塞连接；以及

全局字线，其形成在所述第二绝缘层上，并且与所述第二接触插塞连接。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，所述全局字线和所述区块字线在不同的方向上延伸。

10.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

沟道层，其穿通所述层间绝缘图案和所述局部字线；以及

数据储存层，其形成在所述沟道层与所述局部字线之间。

11.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

第一选择线，其被设置在所述局部字线之下，并且被所述沟道层穿通；以及

第二选择线，其被设置在所述局部字线上，并且被所述沟道层穿通。

12.如权利要求10所述的半导体器件，还包括：

管道沟道层，其被配置成与沟道层中的至少每两个连接；以及

管道栅，其被配置成包围所述管道沟道层。

13.一种半导体器件，包括：

第一材料层和第二材料层，其被交替地层叠以形成阶梯结构；

第一绝缘层，其形成在所述阶梯结构的表面上；

第三材料层，其沿着所述第一绝缘层的表面形成，其中，所述第三材料层与所述阶梯结构重叠；以及

有源图案，其分别穿通所述第三材料层和所述第一绝缘层以与所述第二材料层连接。

14.如权利要求13所述的半导体器件，其中，所述第三材料层由与所述第二材料层相同的材料形成。

15.如权利要求13所述的半导体器件，

其中，所述第一材料层包括层间绝缘图案，

其中，所述第二材料层包括局部字线，

其中，所述第一绝缘层包括绝缘图案，以及

其中，所述第三材料层包括字线选择栅。