[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种阵列基板制备方法、阵列基板、显示装置，用于解决现有技术存在的阵列基板制备过程中使用的掩膜板数量多且制备成本高的问题。本发明提供的阵列基板的制备方法、阵列基板、显示装置，由于将刻蚀阻挡层采用钝化层的掩膜板制备，减少了阵列基板制备构成中使用的掩膜板，降低了制备成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及一种阵列基板及其制备方法、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器和有机电致发光(Active Matrix/Organic LightEmitting Diode，AMOLED)显示器领域，以铟镓锌氧化物(indium gallium zinc oxide,IGZO)为代表的氧化物半导体材料成为热点。目前IGZO薄膜晶体管阵列基板的结构主要有刻蚀阻挡型、背沟道刻蚀型和共面型三种类型，其中制作工艺比较简单的是刻蚀阻挡型，IGZO上的刻蚀阻挡层(ESL)，可以在形成源漏电极(S/D)时保护IGZO层不被破坏，从而提高IGZO的性能，刻蚀阻挡层的材料一般为SiNx或者SiOx。但是刻蚀阻挡层的形成需要一次额外的光刻工艺，增加了制作工艺流程。

图1为现有的IGZO薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，其中。所述阵列基板包括：基板1；形成在基板1上的栅电极2；形成在栅电极2的栅绝缘层3；形成在栅绝缘层3上的IGZO有源层4；形成在有源层4上的刻蚀阻挡层5(Etch Stop Layer，ESL)、源、漏电极6；源、漏电极6之上形成的钝化层7；形成在钝化层7上的像素电极8。

上述IGZO薄膜晶体管阵列基板的制造工艺如下：通过6次构图工艺在基板1依次形成上述各层，其中，构图工艺包括光刻胶涂布、掩模、曝光、显影、刻蚀、光刻胶剥离等部分或全部工艺，使用的掩膜板依次为栅电极掩膜板，有源层掩膜板，刻蚀阻挡层掩膜板，源、漏电极掩膜板，钝化层掩膜板，像素电极掩膜板。上述阵列基板的制造过程包括了6次构图工艺，每次构图工艺都用到一块不同的掩膜板，导致该阵列基板的制造成本较高。

发明内容

解决上述问题所采用的技术方案是一种节省掩膜板的阵列基板的制备方法，其技术方案如下：

一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：

在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；

在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；

在所述刻蚀阻挡层上沉积第一导电层，通过构图工艺形成所述第一导电层图形；

在形成第一导电层图形的所述衬底上形成钝化层，通过一次构图工艺形成钝化层图形和刻蚀阻挡层图形。

优选的是，所述钝化层在与所述第一导电层图形的对应位置具有贯穿所述钝化层的第一开口；

所述钝化层和所述刻蚀阻挡层在与所述有源层图形的对应位置具有贯穿所述钝化层和所述刻蚀阻挡层的第二开口和第三开口，所述第二开口位于所述第一开口和所述第三开口之间。

优选的是，在形成所述钝化层图形的所述衬底上沉积第二导电层，通过构图工艺形成所述第二导电层图形；

所述第二导电层具有通过所述第一开口和所述第二开口将所述第一导电层与所述有源层电性连接的第一部分；

所述第二导电层具有通过所述第三开口与所述有源层连接的第二部分。

优选的是，所述第二导电层还具有与所述第二部分连接的第三部分。

优选的是，所述第二导电层的第一部分包括源极、所述第二部分包括漏极、所述第三部分包括像素电极。

优选的是，所述第一导电层图形包括数据线图形。

优选的是，所述第一导电层和第二导电层的刻蚀采用湿法刻蚀。