[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201510004807.7 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN104465512B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 白金超;郭总杰;丁向前;刘耀;刘晓伟;张逵 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列基板 制备 显示装置 掩膜板 刻蚀阻挡层 制备过程 钝化层 | ||
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上通过构图工艺形成包括有源层的图形；
在形成有源层的所述衬底上沉积刻蚀阻挡层；
在所述刻蚀阻挡层上沉积第一导电层，通过构图工艺形成第一导电层图形；
在形成第一导电层图形的所述衬底上形成钝化层，通过一次构图工艺形成钝化层图形和刻蚀阻挡层图形；所述钝化层图形和刻蚀阻挡层图形采用干法刻蚀形成；
所述钝化层图形在与所述第一导电层图形的对应位置具有贯穿所述钝化层的第一开口；
所述钝化层图形和所述刻蚀阻挡层图形在与所述有源层图形的对应位置具有贯穿所述钝化层和所述刻蚀阻挡层的第二开口和第三开口，所述第二开口位于所述第一开口和所述第三开口之间；
在形成所述钝化层图形的所述衬底上沉积第二导电层，通过构图工艺形成第二导电层图形；
所述第二导电层具有通过所述第一开口和所述第二开口将所述第一导电层与所述有源层电性连接的第一部分；
所述第二导电层具有通过所述第三开口与所述有源层连接的第二部分；
所述第一导电层和第二导电层的刻蚀采用湿法刻蚀。
2.权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述第二导电层还具有与所述第二部分连接的第三部分。
3.权利要求2所述阵列基板的制备方法，其特征在于，
所述第二导电层的第一部分包括源极、所述第二部分包括漏极、所述第三部分包括像素电极。
4.权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一导电层图形包括数据线图形。
5.如权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，所述有源层是采用铟镓锌氧化物制备的。
6.如权利要求1所述阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成有源层的图形之前还包括：通过构图工艺形成栅电极层和栅极绝缘层的步骤。
7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板是采用如权利要求1-6任一项所述的阵列基板的制备方法制备的。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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