[发明专利]碳化硅锭和碳化硅衬底的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅锭，包括第一端表面和与所述第一端表面相反的第二端表面，

所述第一端表面和所述第二端表面在生长方向上彼此面对，在所述生长方向上的氮浓度的梯度不小于1×10¹⁶cm^-4且不大于1×10¹⁸cm^-4。

2.根据权利要求1所述的碳化硅锭，其中当在所述生长方向上观察时，所述碳化硅锭具有不小于100mm的宽度。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的碳化硅锭，其中氮浓度在所述生长方向上单调地变化。

4.根据权利要求1至权利要求3中的任一项所述的碳化硅锭，其中所述第一端表面和所述第二端表面中的一个为包括(000-1)面的表面。

5.一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：

制备权利要求1至权利要求4中的任一项所述的碳化硅锭；并且

通过切割所述碳化硅锭来获得碳化硅衬底。

6.根据权利要求5所述的制造碳化硅衬底的方法，其中在获得所述碳化硅衬底的步骤中，通过使线在所述生长方向上排列的多个切割部处与所述碳化硅锭接触地行进来切割所述碳化硅锭，所述线具有固定有磨粒的表面。

7.根据权利要求6所述的制造碳化硅衬底的方法，其中

所述碳化硅锭的在所述第二端表面侧处的部分中的氮浓度高于所述碳化硅锭的在所述第一端表面侧处的部分中的氮浓度，并且

与所述多个切割部中的位于所述第一端表面侧处的第一切割部相比，使所述多个切割部中的位于所述第二端表面侧处的第二切割部与所述线的在所述行进方向的下游侧处的部分接触。

8.根据权利要求6或权利要求7所述的制造碳化硅衬底的方法，其中所述磨粒包括金刚石磨粒。

9.根据权利要求5至权利要求8中的任一项所述的制造碳化硅衬底的方法，其中在获得所述碳化硅衬底的步骤中，切割所述碳化硅锭以提供具有不大于1mm的厚度的所述碳化硅衬底。