[发明专利]软磁性树脂组合物及软磁性薄膜在审
申请号: | 201480054795.2 | 申请日: | 2014-09-18 |
公开(公告)号: | CN105593952A | 公开(公告)日: | 2016-05-18 |
发明(设计)人: | 江部宏史;土生刚志;松富亮人;増田将太郎 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | H01F1/26 | 分类号: | H01F1/26;B22F1/00;B22F3/02;H01F1/147;H05K3/28;H05K9/00 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性 树脂 组合 薄膜 | ||
技术领域
本发明涉及软磁性树脂组合物和由该软磁性树脂组合物得到的软磁性 薄膜。
背景技术
近年来,在个人电脑、智能手机等电子设备上,无线通信、无线电力传 输的搭载正在迅速普及。并且,在电子设备中,为了其无线的通信距离扩大、 高效率化、小型化,在电子设备所具备的天线、线圈等的周边配置有使磁通 量集中的磁性薄膜(例如参见专利文献1)。
专利文献1中公开了将扁平状的软磁性粉末和粘结剂配混所形成的具有 柔软性的磁性薄膜。
然而,为了改良磁通量的集中效率,重要的是提高磁性薄膜的相对磁导 率(磁特性)。
因此,专利文献2中公开了将使用含Si元素的表面处理剂实施了表面处 理的软磁性粉末作为构成材料分散,由此将软磁性颗粒高填充而成的电磁干 扰抑制体。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2006-39947号公报
专利文献2:日本特开2005-310952号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而,由于专利文献2中记载的电磁干扰抑制体的内部仍产生大量空隙, 因此高填充化不充分,要求更进一步的改良。
本发明的目的在于,提供能够将软磁性颗粒高填充到软磁性薄膜的软磁 性树脂组合物和由该软磁性树脂组合物得到的软磁性薄膜。
用于解决问题的方案
本发明的软磁性树脂组合物的特征在于,其含有扁平状的软磁性颗粒和 树脂成分,前述软磁性颗粒的振实密度为1.1g/cm3以下。
此外,对本发明的软磁性树脂组合物而言,适宜的是,前述软磁性树脂 组合物中的前述软磁性颗粒的含有比率为55体积%以上。
此外,对本发明的软磁性树脂组合物而言,适宜的是,前述树脂成分含 有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂。
此外,本发明的软磁性薄膜的特征在于,其由上述的软磁性树脂组合物 形成。
此外,对本发明的软磁性薄膜而言,适宜的是,其通过对前述软磁性树 脂组合物进行加热固化而得到。
发明的效果
本发明的软磁性树脂组合物含有扁平状的软磁性颗粒和树脂成分,且软 磁性颗粒的振实密度为1.1g/cm3以下。因此,由该软磁性树脂组合物得到的 软磁性薄膜能够以高填充率含有软磁性颗粒,具备良好的相对磁导率。
具体实施方式
1.软磁性树脂组合物
本发明的软磁性树脂组合物含有扁平状的软磁性颗粒和树脂成分。
作为软磁性颗粒的软磁性材料,例如可列举出:磁性不锈钢(Fe-Cr-Al-Si 合金)、铁硅铝合金(Fe-Si-A1合金)、坡莫合金(Fe-Ni合金)、硅铜(Fe-Cu-Si 合金)、Fe-Si合金、Fe-Si-B(-Cu-Nb)合金、Fe-Si-Cr-Ni合金、Fe-Si-Cr合 金、Fe-Si-Al-Ni-Cr合金、铁素体等。
这些当中,优选列举出铁硅铝合金(Fe-Si-Al合金)。更优选列举出Si 含有比率为9~15质量%的Fe-Si-Al合金。由此,可以使软磁性薄膜的导磁率 良好。
软磁性颗粒形成为扁平状(板状),即,形成为厚度薄且面宽的形状。 软磁性颗粒的扁平率(扁平度)例如为8以上,优选为15以上,并且,例如 为80以下,优选为65以下。扁平率例如以用软磁性颗粒的粒径D50(后述) 除以软磁性颗粒的平均厚度而得到的长径比的形式算出。
软磁性颗粒的平均粒径D50例如为30μm以上,优选为50μm以上,更优选 为60μm以上,进一步优选为70μm以上,并且,例如为200μm以下,优选为 100μm以下,更优选为80μm以下。由此,能够使磁性薄膜中的软磁性颗粒的 高填充率、软磁性薄膜的薄膜化更进一步良好。
平均粒径D50例如通过激光衍射式的粒度分布测定器(Sympatec公司制、 HELOS&RODOS)进行测定。
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