[发明专利]具有射频施加器的可旋转的基板支撑件

说明书

一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。

背景

技术领域

本发明的实施例一般涉及用于半导体器件的制造中的装置及方法。更具体地，本发明的实施例一般涉及用于可旋转的基板支撑件的装置及方法，该可旋转的基板支撑件被用于施加在半导体器件的制造中所使用的射频功率。

背景技术

对于半导体器件的下一代超大规模集成电路(VLSI)与极大规模集成电路(ULSI)而言，可靠地生产亚半微米或更小的特征是关键技术挑战之一。然而，由于推进电路技术的极限，VLSI与ULSI互连技术的收缩尺寸对于处理能力产生额外的需求。在基板上可靠地形成栅极结构对于VLSI与ULSI成功以及对于增加电路密度与各个基板与管芯的质量的不断努力而言是重要的。

用于形成这些结构的一种工艺包括等离子体处理。在这些等离子体工艺之一中，将基板定位在腔室中的基板支撑件上，并且工艺气体被激励，以形成工艺气体的等离子体。等离子体可被用于材料的沉积或材料的蚀刻以便形成结构。可通过向来自腔室内的喷头的气体的射频(RF)施加、耦接至腔室的电感耦合RF设备、由基板支撑件或穿过基板支撑件所施加的RF以及其组合，来促进等离子体形成。

能够进行RF施加(即，RF“热(hot)”或偏压功率)的可旋转的基板支撑件遭受严重的缺点。历史上，已经通过例如滚动的RF环、RF刷、RF集电弓和电容结构，来达成任何旋转的零件之间的电连接。然而，当在RF匹配之后进行这些连接时，由于高电压/电流而产生电弧。此电弧通常导致对腔室的损害。因此，需要一种改进的旋转的基板支撑件。

发明内容

基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至轴组件的一部分；以及耦接至轴组件的一个或多个旋转连接器，其中该一个或多个旋转连接器中的一个包括旋转的射频施加器。该旋转的射频施加器包括：第一线圈构件，该第一线圈构件围绕可旋转的轴，该可旋转的轴电耦接至轴组件，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号。

在另一实施例中，基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至该轴组件的一部分；以及耦接至轴组件的第一旋转连接器。该第一旋转连接器包括：可旋转的线圈构件，该可旋转的线圈构件围绕可旋转的介电轴，该可旋转的介电轴在操作期间与该轴组件电磁耦合；固定的线圈构件，该固定的线圈构件围绕该可旋转的线圈构件，其中该可旋转的线圈构件在可旋转的射频施加器被激励时与固定的线圈构件电磁耦合并且通过轴组件向底座提供射频功率；以及导电外壳，该导电外壳绕该固定的线圈构件设置。

在另一实施例中，基板支撑组件包括：轴组件；底座，该底座耦接至该轴组件的一部分；以及一个或多个旋转连接器，该一个或多个旋转连接器耦接至该轴组件，其中该一个或多个旋转连接器中的一个包括旋转的射频施加器。该旋转的射频施加器包括：旋转的导电构件，该旋转的导电构件围绕可旋转的轴构件，该可旋转的轴构件在操作期间与该轴组件电磁耦合；以及固定的导电构件，该固定的导电构件至少部分地围绕该旋转的导电构件，其中该旋转的导电构件在可旋转的射频施加器被激励时与固定的导电构件电磁耦合并且通过轴组件向底座提供射频功率；以及导电外壳，该导电外壳围绕该可旋转的射频施加器。

附图说明