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[发明专利]处理基板的方法-CN201910514110.2有效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;R·萨卡拉克利施纳;R·金;D·R·杜鲍斯;K·H·弗劳德;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
处理方法

[发明专利]极端均匀加热基板支撑组件-CN201980030055.8在审
发明人： D·本杰明森;V·D·帕科;O·S·科拉西德达拉玛雅;K·H·弗劳德;J·王;M·T·萨米尔;D·卢博米尔斯基 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-05-03 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文中所述的实施方式提供了一种实现跨工件表面的温度均匀性的基板支撑组件。在一个实施例中，提供了一种基板支撑组件，所述基板支撑组件包括主体。所述主体由陶瓷制作。所述主体具有工件支撑表面及安装表面。所述工件支撑表面及粘合吸盘主体表面具有小于10微米的平坦度。第一加热器被设置在底表面上在所述主体外部。粘合层被设置在所述第一加热器之上，其中所述粘合层是电绝缘的，且冷却基部具有由金属制作的主体。所述冷却主体具有上冷却主体表面及下冷却主体表面，其中所述上冷却主体表面的平坦度小于约10微米。
极端均匀加热支撑组件

[发明专利]等离子体处理系统-CN201810048710.X有效
发明人：小林悟;K·H·弗劳德;塙广二;S·朴;D·卢博米尔斯基;J·A·肯尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本公开涉及等离子体处理系统。一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
等离子体处理系统

[发明专利]用于化学蚀刻电介质材料的腔室设备-CN201510362516.5有效
发明人：陈天发;D·卢博米尔斯基;K·H·弗劳德;S·T·恩古耶;D·帕拉加斯维勒;A·丹;S·陈 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开案的实施方式一般提供一种用于处理腔室的改善基座加热器。所述基座加热器包括控温板和基板接收板，所述控温板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述控温板包括内部区域、外部区域和设置在所述内部区域和所述外部区域之间的连续热扼流器，所述内部区域包括第一组加热元件，所述外部区域包括第二组加热元件，所述外部区域围绕所述内部区域，以及所述基板接收板具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述基板接收板的所述第二表面耦接至所述控温板的所述第一表面。所述连续热扼流器使得能够在所述内部区域和所述外部区域之间产生和操纵非常小的温度梯度，从而允许在所述基板的表面上实现中央快速蚀刻轮廓或者边缘快速蚀刻轮廓。
用于化学蚀刻电介质材料设备

[发明专利]在半导体腔室中的晶片旋转-CN201580013445.6有效
发明人： G·巴拉苏布拉马尼恩;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;R·萨卡拉克利施纳;R·金;D·R·杜鲍斯;K·H·弗劳德;A·K·班塞尔;T·A·恩古耶 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-02-17 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供一种用于处理基板的方法与设备。该设备包括基座与旋转构件，基座与旋转构件可移动地设置在处理腔室内。旋转构件适配成旋转设置在腔室中的基板。在处理期间，基板可由边缘环支撑。边缘环可选择性地啮合基座或旋转构件。在一个实施例中，在沉积工艺期间，边缘环啮合基座，并且在基板的旋转期间，边缘环啮合旋转构件。处理期间的基板的旋转可以是不连续的或连续的。
半导体中的晶片旋转

[发明专利]具有射频施加器的可旋转的基板支撑件-CN201480053119.3有效
发明人：小林悟;K·H·弗劳德;塙广二;S·朴;D·卢博米尔斯基;J·A·肯尼 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-09 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种基板支撑组件包括：轴组件；耦接至该轴组件的一部分的底座；以及耦接至该轴组件的第一旋转连接器，其中该第一旋转连接器包括：围绕可旋转的轴构件的第一线圈构件，该可旋转的轴构件与该轴组件电耦合，该第一线圈构件可与该可旋转的轴一起旋转；以及第二线圈构件，该第二线圈构件围绕该第一线圈构件，该第二线圈构件相对于该第一线圈构件是固定的，其中该第一线圈构件在旋转的射频施加器被激励时与第二线圈构件电耦合并且通过轴组件向底座提供射频信号/功率。
具有射频施加旋转支撑

[发明专利]用于臭氧硬化及硬化后的湿气处理的模块-CN201180049232.0无效
发明人： D·卢博米尔斯基;J·D·潘松二世;K·H·弗劳德;A·汗;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-10-05 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明揭示一种基材处理系统，所述基材处理系统具有多个沉积室及第一机械臂，所述第一机械臂可操作以在所述沉积室中的一个与装载闸基材固持区之间移动基材。系统亦可具有第二机械臂，所述第二机械臂可操作以在所述装载闸基材固持区与基材硬化及处理模块的硬化室之间移动基材。所述基材硬化及处理模块附接至所述装载闸基材固持区，且所述基材硬化及处理模块可包括:硬化室及处理室，所述硬化室用于在包含臭氧的氛围中硬化介电层，所述处理室用于在包含水蒸汽的氛围中处理所述经硬化的介电层。所述硬化室可相对于所述处理室垂直地配置。所述模块亦可包括加热系统，所述加热系统可操作地耦接至所述硬化室及所述处理室，其中所述加热系统可操作以将所述硬化室的第一温度调整至大约150°C至大约200°C，且将所述处理室的第二温度调整至大约80°C至大约100°C。模块可更进一步包括在硬化室及处理室两者上的进出门。所述进出门中的每一个可操作以移动至打开位置以接收基材，且当基材正在硬化或处理期间，所述进出门中的每一个可操作以移动至封闭密封的位置。
用于臭氧硬化湿气处理模块

[发明专利]装载闸批式臭氧硬化-CN201180027803.0有效
发明人： D·卢博米尔斯基;J·D·潘松二世;K·H·弗劳德;A·汗;S·文卡特拉马 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2011-06-16 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种用于以批次模式处理多个晶圆的基板处理腔室。在一个实施例中，所述腔室包括：垂直对准外壳，所述外壳具有由内部分割器分隔的第一处理区域及第二处理区域，所述第一处理区域直接定位于所述第二处理区域上方；多区域加热器，所述加热器操作性耦接至所述外壳，以加热彼此独立的所述第一处理区域及所述第二处理区域；晶圆传送器，所述传送器适于固持所述处理室内的多个晶圆，及在所述第一处理区域与所述第二处理区域之间垂直移动；气体分配系统，所述气体分配系统适于将臭氧引入所述第二区域中及将蒸汽引入所述第一处理区域中；以及排气系统，所述排气系统经设置以排出被引入所述第一处理区域及所述第二处理区域中的气体。
装载闸批式臭氧硬化

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