[发明专利]电极对、其制作方法、器件用基板以及器件有效

专利信息
申请号: 201480047142.1 申请日: 2014-03-09
公开(公告)号: CN105474398B 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 真岛丰;寺西利治;武下宗平 申请(专利权)人: 国立研究开发法人科学技术振兴机构
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;B82B3/00;B82Y30/00;H01L29/06;H01L29/417;H01Q19/06
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 梁海莲;余明伟
地址: 日本国埼*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电极 制作方法 器件 用基板 以及
【说明书】:

本发明提供一种能够将器件的性能高精度地发挥的电极对以及其制作方法、和器件用基板以及器件。电极对(10)形成为,一方电极(10A)和另一方电极(12B)以具有间隙(17)并面对面的方式设置于同一面上,一方电极(12A)和另一方电极(12B)的面对面部分以随着相互接近而自该面远离的方式弯曲。该电极对(10)通过以下方式制作,将以具有初期间隙的方式隔开间隔地形成有种电极对的基板准备为样品;将样品浸入无电解镀液时,当经过一定时间则交换无电解镀液;调整该交换次数。其结果,能够将一方电极(12A)和另一方电极(12B)之间的间隙保持在一定,并且能够将相向的面沿纵向调整。

技术领域

本发明涉及一种具有间隙的电极对、其制作方法、器件用基板以及器件。

背景技术

以具有纳米间隙的方式使成对的电极面对面,并将纳米粒子和/或分子配置在该纳米间隙而构成的器件,因为具有开关功能和/或存储功能,所以作为新的器件被认为是有前途的。本发明人的目标在于,对利用无电解镀金制作的纳米间隙电极导入化学合成的金纳米粒子并组装单电子晶体管(Single Electron Transistor:SET),构筑在常温下工作的SET集成电路(非专利文献1)。此外,成功以90%的收获率制作具有5nm以下的间隙长度的纳米间隙电极(非专利文献2),进而,开发了将界面活性剂分子作为模板(Template)使用的“分子尺无电解镀金法”(Molecular Ruler Electroless Gold Plating:MoREGP),确定了再现性良好地制作具有2nm间隙长度的纳米间隙电极的技术(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开2012/121067号

非专利文献

非专利文献1:K.Maeda,Y.Majima et al,ACS Nano,6,2798(2012)

非特許文献2:Victor M.Serdio V.,Yasuo Azuma,Shuhei Takeshita,TaroMuraki,Toshiharu Teranishi and Yutaka Majima,Nanoscale,4,7161(2012)

发明内容

但是,由于不知道利用专利文献1的技术制作的纳米间隙电极的构造的详细情况,特别是剖面构造的详细情况,给予使用纳米间隙电极的器件的创造带来了麻烦。其原因是,剖面构造控制导入到纳米间隙电极间的纳米粒子和/或分子等的功能性材料的个数,影响栅电极和功能性材料间的静电容量,即栅极容量。此外,不限于纳米间隙,而希望通过具有平滑的表面并保持间隙的同时调整相向面积来制作电极对。其原因是,因为由此决定器件的性能。

因此,鉴于上述技术问题,本发明的目的在于,提供一种能够高精度地发挥器件的性能的电极对以及其制作方法和具备该电极对的器件用基板以及器件。

为了达成上述目的,本发明考虑了如下方法。

[1]一种电极对,一方电极和另一方电极以具有间隙并面对面的方式设置于同一面上,

所述一方电极和所述另一方电极的面对面部分以随着相互接近而自所述面远离的方式弯曲。

[2]根据[1]所述的电极对,其中,所述一方电极以及所述另一方电极分别具备:朝一方向延伸的主体部,以及自该主体部以相互的顶端面对面的方式延伸并接近的接近部,

所述主体部与所述面接触,所述接近部不与所述面接触且所述接近部以随着接近所述顶端而自所述面远离的方式弯曲。

[3]根据[2]所述的电极对,其中,所述接近部具有凸的外形曲面,该凸的外形曲面形成为相对于自所述主体部朝向所述顶端的轴垂直的剖面面积随着接近所述顶端而变小。

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